電子與封裝

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電子與封裝 關注(): 期刊周期：月刊; 期刊級別：國家級; 國內統一刊號：32-1709/TN; 國際標準刊號：1681-1070; 主辦單位：中電科技集團第五十八研究所; 主管單位：中國電子科技集團公司; 上一本期雜志：《電力系統通信》通信工程師論文發表; 下一本期雜志：《電子信息對抗技術》計算機科技論文發表

　　【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內唯一一本全面報道封裝與測試技術、半導體器件和IC設計與制造技術、產品與應用以及前沿技術、市場信息等的技術性刊物,是中國電子學會生產技術學分會(電子封裝專業)會刊、中國半導體行業協會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網來源刊

　　【欄目設置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設計與測試、器件與制造、支撐技術、產品、應用與市場。

　　雜志優秀目錄參考：

　　有關QFN72和CQFN72的熱阻計算賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復合封裝基板的制備李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設計徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準電流源電路設計黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環頻率合成器楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術的FPGA開發平臺設計張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術的研究朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數穩定性控制方法王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應仿真研究高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設計可靠性研究王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應用分析

　　摘要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質中，通過發生反應對金屬的內部結構有更好的認識，與機械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產生的雜質，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應用進行了簡要分析。

　　關鍵詞：管理科學,不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內部結構的物理或化學狀態，反映金相的具體形態叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機械法以及電解法等。人工法現在已很少用，機械法因為需要進行拋光，往往會在磨光面上出現一些雜質，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

MOSFET與IGBT的結構與發展概述

摘要：在功率半導體器件中，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）這兩種器件成為當前應用的主流，自誕生以來，為提高性能，MOSFET出現了諸如橫向導電、縱向導電、平面柵、溝槽柵以及超結結構等多種結構；而IGBT也歷經穿通型、非穿通型和場截止型等結構。通過對這兩種器件進行回顧，綜述其出現的結構以及工作原理，并討論了以碳化硅（SiC）材料為代表的第三代半導體材料在這兩...

基于域分解門控物理信息神經網絡的加熱盤溫度實時預測

摘要：加熱盤是熱壓鍵合設備的核心部件，實時精準預測其溫度變化對提升鍵合良率具有重要價值。針對有限元法計算效率低、傳統深度學習方法對樣本依賴性強的問題，提出一種基于域分解門控物理信息神經網絡的加熱盤溫度實時預測方法。首先采用域分解策略對加熱盤多層異質結構進行子域劃分，通過界面連續性條件施加物理一致性約束。然后在網絡架構中引入嵌入注意力塊的門控單元，增強模型對局部特征的表征能力。結合注意力機制與物理方程殘差...

多層有芯封裝基板回流焊翹曲分析與優化技術

摘要：以某型量產計算處理芯片為對象，針對多層有芯板結構倒裝芯片球柵陣列（FCBGA）封裝的回流焊翹曲問題，建立6層基板有限元仿真模型并采用單因子靈敏度分析方法，揭示材料熱膨脹系數（CTE）匹配前提下芯板模量與結構尺寸主導芯片封裝整體翹曲的機制，提出工程可行的材料選型與結構優化策略并使用陰影云紋實驗進行了實測與仿真對比驗證，相關研究結果可以為芯片封裝翹曲設計提供一定的參考

基于Multiboot的ZYNQ多鏡像快速高可靠在線升級方法研究

摘要：現有程序在線升級方法存在傳輸速率慢、效率低等缺點，且往往不具備版本回退能力或僅能回退至Golden版本。為滿足ZYNQ程序高可靠在線升級的需求，本文提出一種基于Multiboot的多鏡像在線升級方案。該方案利用LwIP協議棧實現TCP/IP協議層功能，配合PHY芯片完成物理層數據傳輸，構建千兆以太網通道，實現升級鏡像的高速傳輸。通過存儲空間分區管理，實現多鏡像獨立存儲與滾動更新；升級時僅修改指定區...

基于超大算力基板垂直供電技術的研究進展

摘要：隨著超大算力芯片的廣泛應用，單芯片能耗的需求量呈爆炸式增長，傳統橫向供電架構面臨供電路徑長、傳輸損耗大、瞬態響應差等瓶頸，難以適配單芯片數千安培級電流的算力需求，垂直供電技術憑借縮短電流傳輸路徑、降低寄生阻抗、提升功率密度等核心優勢，成為當代AI芯片重要的供電方式。本文論述了垂直供電架構的基本概念、優勢特性，系統梳理了國內外的垂直供電的典型技術和最新進展，分析了作為新一代供電技術需面臨的挑戰與未來...

面向異質異構集成的表面活化室溫鍵合研究進展

摘要：針對后摩爾時代異質異構集成面臨的熱失配挑戰，表面活化鍵合技術憑借其獨特的室溫連接優勢，為實現高性能異質互連提供了關鍵支撐。探討了標準型表面活化鍵合技術利用高能粒子束濺射刻蝕暴露原子懸掛鍵的成鍵機理；歸納了針對氧化硅及一些寬禁帶半導體材料開發的拓展表面活化鍵合、組合表面活化鍵合等改進表面活化鍵合工藝。總結了該技術在高性能氮化鎵散熱結構、聲表面波濾波器、亞微米級三維互連及微機電系統封裝中的應用成效。表...

升溫載荷下玻璃通孔異質界面熱機械可靠性評估及壽命預測

摘要：針對玻璃通孔（TGV）互連結構在升溫服役條件下的熱機械可靠性問題，本研究采用多物理場仿真與機器學習算法相協同的研究策略，重點分析了銅柱的塑性應變響應，并基于Coffin-Manson定律預測了其疲勞壽命。首先，本研究深入探究了實際工藝中不可避免的幾何變異（通孔錐度與側壁粗糙度）及不同升溫速率對TGV結構最大塑性應變的作用機理，研究表明：TGV管壁的粗糙度與應變始終呈正相關，而TGV中央區域的錐度的...

硅基氮化鎵外延應力調控與缺陷抑制研究

摘要：針對硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延中晶格失配與熱失配導致的應力累積、晶圓翹曲及高位錯密度等難題，本文提出并制備了一種“漸變超晶格”復合緩沖層結構。采用金屬有機物氣相外延（MOCVD）技術在6英寸硅襯底上生長了不同緩沖層結構的GaN外延材料。表征結果表明：該復合緩沖層能夠將穿透位錯密度顯著降低（約2.8倍），同時使6英寸晶圓翹曲度下降至12.5μm，滿足射頻后道工藝要求，并有效減薄了外延層總厚...

基于SiP技術的標準化電路模塊研究與實踐

摘要：開關電源產品的發展趨勢是模塊化、標準化和小型化，通過先進封裝技術將混合電路集成為具有特定功能的標準模塊，是順應發展趨勢的有效方法。研制了兩款系統級封裝（SiP）模塊，分別為2路可調保護電路模塊和2路多精度接口電路模塊。采用高溫共燒多層陶瓷（HTCC）一體化工藝和平行縫焊封裝工藝實現基板和外殼的全密封一體化設計；內部均為分立裸元器件，通過優化布局在保證電磁兼容的前提下減少平鋪面積；翼型引出式的封裝形...

SoC芯片GPU驅動的高效調度與同步機制設計

摘要：GPU驅動在SoC芯片中承擔著連接硬件與軟件生態的關鍵作用，對圖形性能、功耗及系統可靠性具有重要影響。本文設計的GPU驅動實現了一種高效的任務調度器，能夠充分利用多媒體SoC硬件資源，并實現了GPU和顯示單元的事件、數據同步，防止圖形渲染時畫面撕裂感。通過構建Palladium硬件仿真平臺對驅動進行驗證，結果表明本文設計的GPU驅動能夠有效提升圖形渲染性能，減少畫面撕裂，并確保系統運行的穩定性和可...

玻璃基先進封裝關鍵電鍍工藝及其電鍍質量控制綜述

摘要：隨著人工智能（AI）與高性能計算（HPC）技術的快速發展，算力芯片對更高互連帶寬、更高集成密度以及更大封裝規模提出了迫切需求。傳統基于硅中介層的CoWoS封裝技術已逐漸接近其物理尺寸與制造成本極限，亟需面向大規模芯片集成的可靠先進封裝解決方案。玻璃基板由于具有與硅接近的熱膨脹系數、優異的尺寸穩定性及表面平整度，同時易于獲得大尺寸方形基板，在兼容半導體工藝尺度的前提下，展現出在百毫米級AI/HPC芯...

一種新型的高速雙泵結構存儲器設計

摘要：近年來，高性能計算(HPC)需求激增，在先進的中央處理器(CPU)與圖形處理器（GPU）中并行處理的能力至關重要，因而對高速、高密度、多端口類型的存儲器需求持續增長。8T雙端口靜態隨機存取存儲器（SRAM）通常因為能同時進行讀寫操作而被使用，然而，隨著工藝尺寸的縮小，其面積開銷增加、端口交叉干擾等問題日益凸顯。為解決這一問題，本文提出了一種基于6T基本單元的單端口SRAM，通過一種創新的時鐘半拍結...

離子輻照下本征GaN晶格熱導率退化的分子動力學研究

摘要：氮化鎵（GaN）作為高功率電子器件的重要寬禁帶半導體材料，其晶格熱輸運性能直接關系到器件散熱能力、可靠性與長期服役穩定性。在離子輻照環境下，輻照誘導缺陷將改變材料的微觀結構，進而導致晶格熱導率下降。本文采用分子動力學方法模擬GaN的輻照損傷過程，并基于非平衡分子動力學方法計算其晶格熱導率。通過計算晶格熱導率變化并結合聲子態密度分析，探討輻照缺陷對熱輸運的影響。結果表明，輻照產生的點缺陷增強聲子散射...

電子封裝用超薄玻璃基板切割方法研究進展

摘要：作為新一代先進封裝材料，玻璃基板在高頻電學性能、熱膨脹系數匹配和高平整度等方面優勢顯著，但其脆性本質使其在切割過程中容易產生微裂紋，進而影響封裝可靠性和生產良率。玻璃微裂紋的產生與擴展機制，本質上揭示了玻璃材料的脆性斷裂行為。當前，玻璃切割方法主要分為機械切割和激光切割兩大類。通過梳理這兩類工藝的發展脈絡并對比其優劣，可總結出相應的優化策略：在機械切割中，通過優化刀輪參數、改善冷卻條件以及采用分層...

0.8～18 GHz超寬帶MMIC低噪聲放大器設計

摘要：基于GaAs pHEMT工藝實現了一款工作頻率覆蓋0.8～18 GHz的超寬帶低噪聲放大器。該放大器采用結合有源偏置電路的共源共柵結構，通過有源偏置電路提高柵極偏置電壓穩定性；同時在共柵管芯柵極增加接地電容，提高放大器高頻輸出阻抗，實現帶寬拓寬、高頻增益提高。常溫測試結果表明，在+5 V單電源供電下，0.8～18 GHz頻帶范圍內小信號增益大于15.5 dB，帶內增益平坦度在±0.75 dB以內，...

14 bit 80 MSample/s高線性度流水線模數轉換器設計

摘要：基于0.18 μm CMOS工藝設計了一種14 bit 80 MSample/s的高線性度流水線模數轉換器（Pipelined ADC）。該電路采用帶有消除回踢噪聲的電容翻轉式采樣保持電路（SHA）作為ADC前端采樣網絡，通過消除回踢噪聲保證采樣到的信號有更高的精度，從而提高采樣的線性度，采樣開關選用柵壓自舉開關，增加了電荷泵電路用于解決寄生電容導致的開關管柵源電壓下降，并通過增加占空比穩定電路（...

一種具有柵極集成TVS管的高dI/dt IGTT陰極電壓振蕩隔離驅動電路

摘要：提出一種用于柵極集成瞬態電壓抑制（TVS）二極管的絕緣柵觸發晶閘管（IGTT）的柵極驅動電路。該驅動電路為隔離超高dI/dt電流脈沖下的器件陰極電壓振蕩而設計，能顯著降低驅動芯片輸出端的電壓振蕩，從而保證脈沖功率系統的可靠性。在正向過流過程中，器件陰極側雜散電感上的高電壓振蕩被隔離，僅器件封裝內雜散電感上的低電壓振蕩被傳遞至驅動芯片輸出端。在反向過流過程中，由于無電流流經器件，封裝內雜散電感上無電...

磚-泥結構環氧樹脂/氮化硼導熱復合材料

摘要：<正>針對電子封裝領域中熱界面材料對高導熱與電絕緣的雙重需求，哈爾濱理工大學吳子劍副教授團隊提出了一種創新的空間限域策略，巧妙借鑒了“磚-泥”結構設計：首先利用反應誘導相分離法制備環氧樹脂微球（EMs），并通過高能球磨將氮化硼（BN）納米片精準包覆于微球表面，構筑出以微球為芯、BN為殼的“硬質磚塊”單元；隨后，引入液態金屬（LM）與未固化環氧樹脂（EP）組成的“導熱漿料”填充磚縫，通過...

基于銅互連微結構調控的混合鍵合技術研究進展

摘要：隨著集成電路與先進封裝技術的快速發展，混合鍵合技術因其在實現高密度互連、低信號延遲和低功耗方面的顯著優勢，已成為超越摩爾定律的關鍵路徑之一。然而，為實現高質量、低熱預算的銅-銅鍵合，仍需克服低溫下界面空洞、氧化與擴散不足等挑戰。系統綜述近年來在混合鍵合中銅互連中表面處理與微觀結構優化的研究進展，并展望其在實現低溫、可靠混合鍵合中的發展趨勢，為未來高密度互連技術的研發與應用提供理論參考與技術支撐

表面貼裝塑封芯片Die-EMC界面分層失效機理及制程優化研究

摘要：塑料封裝是半導體集成電路的主流封裝形式，非氣密結構使其易發生分層失效。針對TSSOP-8型表面貼裝塑封芯片出現的高溫無輸出、Pin2開路失效問題，采用X射線、C-SAM、切片及EDX能譜分析，明確該類器件晶粒（Die）-塑封料（EMC）界面分層引起界面應力集中導致焊球機械拉脫，最后引腳開路的鏈式失效機理。將分層從“潛在可靠性風險”量化為“功能失效的直接誘因”，建立分層面積與電性能失效的關聯判據，揭...

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