《半導體》雜志簡介

　　本刊以馬列主義、毛澤東思想、鄧小平理論和“三個代表”重要思想為指導，全面貫徹黨的教育方針和“雙百方針”，理論聯(lián)系實際，開展教育科學研究和學科基礎理論研究，交流科技成果，促進學院教學、科研工作的發(fā)展，為教育改革和社會主義現(xiàn)代化建設做出貢獻。《天津半導體技術》現(xiàn)用刊名《半導體雜志》

　　《半導體》收錄情況

　　國家新聞出版總署收錄、中國知網(wǎng)收錄期刊、維普中文期刊全文收錄

　　《半導體》欄目設置

　　主要欄目：研究報告、文獻綜述、簡報、專題研究。

　　《半導體》雜志投稿須知：

　　1.文章標題：一般不超過20個漢字，必要時加副標題，并譯成英文。

　　2.作者姓名、工作單位：題目下面均應寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱(一、二級單位)、所在城市(不是省會的城市前必須加省名)、郵編，不同單位的多位作者應以序號分別列出上述信息。

　　3.提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，應是一篇能客觀反映文章核心觀點和創(chuàng)新觀點的表意明確、實在的小短文，切忌寫成背景交代或“中心思想”，100-200字為宜。

　　4.關鍵詞：3-5個，以分號相隔，選擇與文章核心內(nèi)容相關的具有獨立性的實在詞。

　　5.正文標題：內(nèi)容應簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、(一)、1、(1)，層次少時可依次選序號。

　　6.正文文字：一般不超過1萬字，正文用小4號宋體，通欄排版。

　　7.數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835-1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數(shù)與計量等均采用阿拉伯數(shù)字;夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數(shù)字作為語素構成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字數(shù)字。

　　8.圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時，應簡潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯數(shù)字順序編號，應有簡明表題(表上)、圖題(圖下)，表中數(shù)據(jù)應注明資料來源。

　　9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列于文末參考文獻之前。釋義性注釋是對論著正文中某一特定內(nèi)容的進一步解釋或補充說明;引文注釋包括各種不宜列入文后參考文獻的引文和個別文后參考文獻的節(jié)略形式，其序號為①②③……。

　　半導體最新期刊目錄

GaSb半導體表面極化子基態(tài)能量的研究

摘要：采用L .L .P方法導出了表面極化子的基態(tài)能量 ,聲子平均數(shù) ,討論了電子在反沖效應中發(fā)射和吸收不同波矢聲子之間相互作用對GaSb半導體表面中表面極化子基態(tài)能量的影響。數(shù)值計算結果表明 :當動量趨于零時 ,聲子之間的相互作用對極化子性質(zhì)無影響 ;當動量達到某一值時 ,聲子之間相互作用的能量占極化子總能量中非常顯著的部分 ;隨著動量 (平方 )的增加 ,聲子平均數(shù)近似線性地增加

雜質(zhì)和缺陷對非摻半絕緣LEC GaAs霍耳測量的影響

摘要：研究了非摻雜半絕緣LECGaAs霍耳參數(shù)溫度關系。研究結果表明 ,雜質(zhì)和缺陷的不均勻分布引起的電勢波動對霍耳測量結果有明顯影響 ,存在電勢波動的情況下 ,僅用霍耳測量不能測定真實的自由載流子濃度和費米能級位置

基于四位嵌入式MCU的數(shù)字調(diào)諧系統(tǒng)DTS0614

摘要：介紹了一種基于 4位微控制器的數(shù)字調(diào)諧系統(tǒng)———DTS0 614的功能框圖及特點 ,并對其內(nèi)核部分的結構、指令系統(tǒng)、微操作及指令數(shù)據(jù)流等作了分析

電流模電路的通用單元電路

摘要：提出了電流模電路中的一個通用積木塊———伴隨運放。用它能把基于電壓運放的電壓模電路轉換成電流模電路。分析了理想伴隨運放的特點和應用 ,提出一種CMOS伴隨運放電路 ,介紹了用它設計的電流模濾波器

Conexant擴建砷化鎵生產(chǎn)設備

摘要：科勝訊(Ｃｏｎｅｘａｎｔ)系統(tǒng)公司日前宣布已完成了加州ＮｅｗＢｕｒｙＰａｒｋ工廠砷化鎵生產(chǎn)設備的大規(guī)模擴建工程,為無線通信和網(wǎng)絡接入這兩個發(fā)展迅速的部門提供更強有力的支持。該工廠一年前每年只能生產(chǎn)1.5萬個4英寸的晶片。擴建后,每年可進行7.5萬個4英

電流模A/D轉換器的設計與實現(xiàn)

摘要：提出了一種新型 8位電流模逐次漸近型A/D轉換器 ,采用 2 μm p -阱CMOS工藝參數(shù) ,PSPICE模擬結果表明 :功耗為 8mW ,轉換時間為 1μs。若改用亞微米工藝 ,則轉換時間還可大大縮短

用跳耦法綜合開關電流帶通濾波器

摘要：提出了用leapfrog法設計開關電流帶通濾波器的普遍方法 ,設計了一個四階契比雪夫帶通濾波器 ,并用matlab軟件從信號流圖級進行了模擬

Intel發(fā)布首款0.18微米快閃存儲器

摘要：英特爾(Ｉｎｔｅｌ)公司近日發(fā)布了第一個來用0.18微米工藝的快閃存儲芯片———Ａｄｖａｎｃｅｄ+ＢｏｏｔＢｌｏｏｋ。該產(chǎn)品是Ｉｎｔｅｌ的第四代ＢｏｏｔＢｌｏｏｋ存儲器系列產(chǎn)品,將提供新一代的安全防護解決方案,可使數(shù)字移動電話和Ｉｎｔｅｒｎｅｔ應用設備

微電腦時控系統(tǒng)

摘要：介紹的微電腦時控系統(tǒng)主要是按學校、工廠、機關等單位的供電要求而設計的 ,以實現(xiàn)對電能及設備的合理應用 ,避免繁雜的人工操作。它以 80 31單片機為核心 ,通過鍵盤實現(xiàn)人機對話 ,可完成日歷、電子表功能及實時控制功能

鑲嵌鎢的化學機械拋光的研究

摘要：研究的是ULSI鑲嵌鎢CMP的選擇性 ,化學與機械作用匹配 ,漿料的懸浮及存放和后清洗等問題

多晶硅TFT及其在AMLCD中的應用

摘要：多晶硅薄膜晶體管目前是大面積微電子學領域中最熱門的研究課題之一 ,它以其獨特的優(yōu)點 ,在液晶顯示領域中扮演著重要角色。簡要介紹了多晶硅薄膜晶體管的結構、器件特性以及在有源矩陣液晶顯示器中的應用

MOSFET開態(tài)熱載流子效應可靠性

摘要：綜述了近年來MOSFET的熱載流子效應和可靠性問題 ,總結了幾種熱載流子 ,并在此基礎上詳細討論了熱載流子注入 (HCI)引起的退化機制。對器件壽命預測模型進行了總結和討論。為MOSFET熱載流子效應可靠性研究奠定了基

離子注入半絕緣GaAs電激活效率與電激活均勻性的研究

摘要：研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制備的半絕緣GaAs襯底電激活效率與均勻性。結果發(fā)現(xiàn) :在相同條件下 (注入與退火 ) ,不同生長方法的半絕緣GaAs襯底電激活不同 ,通常電激活HB >LEC ,HBSI—GaAs(Cr)(1 0 0 )A面 >(1 0 0 ...

EL2能級對GaAs MESFET夾斷電壓的影響

摘要：在建立的理論模型基礎之上 ,定量地分析了EL2能級對GaAsMESFET夾斷電壓的影響 ,指出位于本征費米能級以下的EL2能級是影響GaAsMESFET夾斷電壓大小的主要因素 ,EL2能級對GaAsMESFET夾斷電壓的影響程度與EL2能級的缺陷密度呈線性關系

住友電工開發(fā)出GaN單晶生長新工藝

摘要：最近 ,日本住友電工宣稱 ,他們開發(fā)出一種ＧａＮ單晶生長新工藝 ,并制備出 2英寸ＧａＮ單晶片。這一新工藝是基于熱動力學原理的 ,具體細節(jié)沒有公布。該公司稱正在投資 470萬美元建設一條ＧａＮ單晶片生產(chǎn)線 ,計劃明年批量生產(chǎn)。這一舉措將對ＧａＮ器件的研

超前進位隨機脈沖計數(shù)器的研究

摘要：利用隨機脈沖尾數(shù)求差原理 ,導出了二進制兩路尾數(shù)求差的計算法。在不增加門速度的前提下 ,從根本上解決了隨機脈沖因交疊所產(chǎn)生的計數(shù)錯誤。另外 ,在設計集成電路組件時 ,內(nèi)部增設超前進位專用加法器電路 ,從而保證該組件經(jīng)多級串聯(lián)后整體電路仍能實現(xiàn)快速計數(shù)功能。集成電路運行實驗表明 ,設計原理及運行性能完全滿足設計要求 ,并可填補集成電路對隨機脈沖求差的空缺

高速數(shù)據(jù)跳頻通信系統(tǒng)中的新型頻率合成器

摘要：介紹了一種適用于高速數(shù)據(jù)跳頻通信系統(tǒng)的新型頻率合成器。詳細分析了該頻率合成器的工作原理、技術指標等 ,并且給出了具體的實施方案

世界10大半導體IP公司

摘要：排位公　司營收 (萬美元 )比上年增長 (% )1ＡＲＭ 8850 4 9.72ＭＩＰＳ 772 0 4 3.03Ｒａｍｂｕｓ 4 530 15.34Ｍｅｎｔｏｒ 3170 - 4 .25Ｓｙｎｏｐｓｙｓ 2 4 50 1.26Ｉｎｓｉｌｉｃｏｎ 19

移位寄存器芯片4517B在TDD-TDM終端設備中的特殊應用

摘要：在TDD -TDM終端設備中 ,采用移位寄存器芯片 4 517B完成數(shù)字語音信號的壓縮、擴張和存儲的功能

1999年化合物半導體的市場

摘要：據(jù)美國ＳｔｒａｔｅｇｉｅｓＵｎｌｉｍｉｔｅｄ公司估測 ,1 999年世界化合物半導體銷售額達到 1 0 9.8億美元 ,約占整個半導體市場份額的 7.5 %。從 1 994～ 1 999年 ,化合物半導體銷售額翻了一翻 ,而且最近 2年增速加快。 2

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