【雜志簡介】

　　《固體電子學研究與進展》是南京電子器件研究所主辦的全國性學術期刊(雙月刊)，向國內外公開發行。辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究�？�登的內容為：無機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(MEMS)、納米技術、固體光電和電光轉換、有機發光器件(OLED)和有機微電子技術、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創新性科學技術報告和學術論文，論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。

　　在科技期刊評審中，《固體電子學研究與進展》多次獲得部屬電子優秀期刊獎，獲江蘇省第一屆、第二屆、第三屆、第四屆優秀期刊獎和第二屆華東地區優秀期刊獎。

　　1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目總覽》列為相關專業的中文核心期刊，被中國科學院文獻情報中心列為科技核心期刊。

　　本刊已列為國家科技部中國科技論文統計源期刊，被認定為《中國科學引文數據庫》來源期刊、《中國學術期刊綜合評介數據庫》全文收錄期刊，已載入《電子科技文獻數據庫》和《中國工程技術電子信息網》，已被《中國學術期刊(光盤)》和《中國期刊網》全文收錄，已進入萬方數據資源系統ChianInfo數字化期刊群。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　信息產業部2001-2002年優秀期刊

　　中國期刊方陣“雙效”期刊

　　江蘇省第六屆優秀期刊

　　國外數據庫收錄：美國化學文摘

　　【欄目設置】

　　設有“學術論文”、“研究報告”、“研究簡訊”、“會議報道”等欄目。

　　雜志優秀目錄參考：

　　1 氧等離子體處理對薄勢壘增強型AlGaN/GaN HEMT的影響 王哲力;周建軍;孔月嬋;孔岑;董遜;楊洋;陳堂勝; 307-310+345

　　2 短溝道三材料柱狀圍柵MOSFET的解析模型 趙青云;于寶旗;蘇麗娜;顧曉峰; 311-316+365

　　3 柱形量子點中量子比特的消相干時間 姜福仕;李巖; 317-320

　　4 S波段280W GaN內匹配功率管的設計與實現 姚實;唐世軍;任春江;錢峰; 321-324+391

　　5 L波段高增益功放模塊設計 楊斌;林川;高群; 325-328

　　6 應用于IEEE 802.11 ac的高線性InGaP/GaAs HBT功率放大器 鄭耀華;鄭瑞青;林俊明;陳思弟;章國豪; 329-333

　　7 基于HBT工藝的北斗手持終端功率放大器設計 陳思弟;鄭耀華;章國豪; 334-339

　　8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J類功率放大器 鄭瑞青;鄭耀華;章國豪; 340-345

　　9 WIFI用砷化鎵多功能收發芯片設計與實現 李娜;葉建軍;楊磊; 346-351

　　10 一種高集成射頻接收前端 黃貞松;宋艷;許慶;楊磊; 352-356

　　11 X波段8路波導功分器/合成器 周巧儀;崔富義;馬福軍; 357-359+397

　　12 基于階梯阻抗諧振器的雙頻微帶帶通濾波器設計 李紫怡;楊維明;朱星宇;彭菊紅;張偉; 360-365

　　13 圖形化襯底對GaN基LED電流與發光特性的影響 李麗莎;閆大為;管婕;楊國鋒;王福學;肖少慶;顧曉峰; 366-370

　　14 高壓LDMOS擊穿電壓退化機理研究 金鋒;徐向明;寧開明;錢文生;王惠惠;鄧彤;王鵬飛;張衛; 371-376

　　15 紅外讀出電路中低功耗列讀出級電路的設計 沈玲羽;龐屹林;范陽;夏曉娟;吉新村;郭宇鋒; 377-382

　　16 TVS二極管標稱參數與靜電放電防護能力研究 郭瑤;徐曉英;葉宇輝;高兵生; 383-387

　　17 高平整度GaN HEMT歐姆接觸工藝 陳韜;蔣浩;陳堂勝; 388-391

　　18 蓋板結構對外殼密封可靠性影響的有限元分析 郭懷新;程凱;胡進;王子良; 392-397

　　安全論文發表：對計算機網絡的維護及管理的分析

　　【摘要】 隨著信息技術的發展，網絡的應用已經普及到各個階層和各個行業，這給人們的工作和日常生活帶來了極大的便利，但是同時由于網絡安全問題的存在也給人們帶來了很多的困擾，這些安全問題主要表現在病毒、木馬以及漏洞攻擊上。本文通過對計算機網絡中存在的問題進行分析，旨在為網絡的安全和便利提供一些技術上的策略。

　　【關鍵詞】 安全論文發表,計算機網絡,完全防護,網絡維護與管理,策略

　　一、計算機網絡中的問題分析

　　1.1 計算機病毒和木馬

　　計算機病毒和木馬在很多文獻中都分開論述，但是由于其原理基本相同，所以筆者在本文的論述中將其歸為一類。計算機病毒和木馬的傳播過程中有很多類似的地方，但是在破壞性上兩者有較大差別，計算機病毒是特指可以對計算機軟硬件造成損害的一類計算機程序，而木馬則是用來竊取用戶信息的計算機程序。這兩者都是通過網絡給用戶帶來危害的計算機程序，并且現在計算機技術飛速發展，病毒和木馬的變種也越來越多，只有提高自己的網絡安全意識，才能降低受到危害的風險 [2]。

　　固體電子學研究與進展最新期刊目錄

征稿啟事

摘要：<正>《固體電子學研究與進展》是全國性學術期刊，向國內外公開發行。辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性研究。征稿主要范圍是：無機和有機固體物理，硅微電子學，射頻器件和微波集成電路，微機電系統（MEMS），納米技術，固體光電和電光轉換器件，有機發光器件（OLED）和有機微電子技術，寬禁帶半導體以及各種固體電子器件等方面的創新性科學技術報告和論文。建議作者在投稿的同時介紹一...

鋁摻雜超寬氧化鎵單晶納米帶及紫外光電特性研究

摘要：在氧化鎵納米帶中進行摻雜可以有效調控其光電特性，從而拓展材料的應用潛力�；�于碳熱還原法制備了寬度最高達到100μm的β-Ga₂O₃納米帶，并通過Al₂O₃中Al元素熱擴散方式實現了β-Ga₂O₃納米帶的Al摻雜，XRD和TEM測試結果顯示出Al摻雜后納米帶仍然是單晶且...

幾種應變場對金剛石電子結構影響機制的第一性原理研究

摘要：近年來，研究發現應變工程可以顯著改變金剛石電學特性，這為其在半導體和傳感器等領域的應用提供了新的可能性�；�于此，本文利用第一性原理密度泛函理論對幾種不同應變（靜水壓、單軸、雙軸）下金剛石的能帶結構和電子態密度進行了系統的研究，發現這三種應變均未改變金剛石間接帶隙半導體特性。靜水壓下，金剛石帶隙隨著壓縮應變的增加而增加，但隨著拉伸應變的增加而減小，帶隙隨應變的變化基本接近線性。單軸應變下，帶隙的變化...

37 W/mm高功率密度GaN HEMT器件研究

摘要：研究了外延材料結構中緩沖層的變化對AlGaN/GaN HEMT器件最大功率密度的影響，對比了非摻緩沖層器件與摻Fe緩沖層器件的直流和微波特性。實驗結果表明非摻緩沖層器件相對摻Fe緩沖層器件表現出更優異的跨導，在高漏極電壓下的脈沖測試中電流退化幅度更弱，并且在120 V工作電壓下3 GHz處實現了37 W/mm的最大功率密度

硅基寬帶小型化晶圓級3D異構集成開關交換矩陣

摘要：利用硅基晶圓級3D異構集成工藝研制了一種2～18 GHz 4×4寬帶小型化開關交換矩陣，解決了當前開關矩陣尺寸大、批次一致性較差、難以批量制作的問題。該器件由7層高阻硅晶圓堆疊形成，內部集成了4個硅基MEMS超寬帶功分器、4個SP4T開關、16個SPST開關、24個電容及4個譯碼驅動等芯片，采用TSV（硅通孔）垂直互連，通過晶圓級低溫鍵合工藝，實現了開關矩陣16個通道射頻信號的靈活交換傳輸。經測試...

Ku頻段四波束收發SiP模塊研制

摘要：提出了一種高集成度的4通道四波束收發系統級封裝（System-in-package, SiP）模塊。該SiP模塊工作頻率為14.5～16.5 GHz，半雙工工作，內部集成發射功率放大、接收低噪聲信號放大、幅相控制、四波束無源網絡等功能。使用AlN陶瓷基板配合金屬圍框、蓋板實現良好氣密，并采用雙面開腔方式，實現高密三維集成。為了驗證研究結果，對該SiP模塊進行了加工、測試，測試結果表明，在工作頻帶內...

基于GaAs工藝的DC～67 GHz寬帶濾波三工器

摘要：隨著無線通信和高速信號處理需求的不斷增長，濾波多工器在現代通信系統中的應用日益重要。為此，基于GaAs工藝，應用ADS平臺設計了一款工作頻率范圍為DC～67 GHz，三輸入（DC～20 GHz、20～40 GHz和40～67 GHz）單輸出的寬帶濾波三工器，并完成測試。結果顯示，該器件在目標頻段內表現出低插入損耗（<3 dB）、高隔離度（>30 dB）和小尺寸（2.07 mm×1.29...

基于碳納米管微結構的高靈敏低遲滯壓力傳感器

摘要：<正>隨著具身智能機器人技術迅速發展,作為環境感知與交互的關鍵媒介,類皮膚壓力傳感器的重要性日益顯現,其性能決定了機器人的觸覺靈敏度和操作精確度。傳統器件普遍面臨靈敏度不足和遲滯性高等瓶頸。單壁碳納米管材料因其本征高機械強度、高導電性和溶液法大規模制備等獨特優勢,可實現優異的應變電學響應,為開發高性能本征柔性壓力傳感器提供了全新思路

雙頻雙輻射的圓柱狀共形天線

摘要：設計了一款雙頻雙輻射模式的圓柱狀共形天線，天線由輻射片和金屬銅柱構成，整體尺寸為11.2 mm×6.7 mm。圓柱狀共形天線主要工作在1.4 GHz WMTS頻段和2.45 GHz ISM頻段，相應的輻射模式為全向性輻射和法向輻射，且分別用于數據遙測功能和無線供電功能。對所提出的天線進行了加工和測試，測試結果表明天線在1.4 GHz WMTS頻段和2.45 GHz ISM頻段分別獲得了30.1%(...

一種電壓-時間混合域流水線模數轉換器設計

摘要：設計了一種100 MHz帶寬、MASH 0-1-1結構的電壓-時間混合域的流水線模數轉換器（ADC）。提出了一種時間域MASH 1-1結構的時間-數字轉換器（TDC），在保證時間域量化高轉換速度（>1 GHz）的同時，通過噪聲整形技術提升量化精度。此外，改進了傳統電流受限反相器型電壓-時間轉換器（CSI VTC），通過引入額外的放電通路消除系統三次非線性，使其無雜散動態范圍（SFDR）提升7...

一種8位125 MSPS的低功耗流水線模數轉換器

摘要：基于0.18μm CMOS工藝設計了一種8位125MSPS的流水線模數轉換器（Analog-to-digital converter,ADC）。該電路采用采樣保持電路作為ADC前端采樣網絡，使用改良后的柵壓自舉開關來提高輸入采樣線性度。ADC測試結果表明：在3 V電壓下，采樣率為125 MSPS，輸入信號頻率為41 MHz時，信噪比為48.71 dB，信噪失真比為48.51 dB，無雜散動態范圍為...

InGaAs復合溝道InP HEMT材料結構設計及外延生長研究

摘要：采用固態源分子束外延系統（Solid-source molecular beam epitaxy, SSMBE），研究InP高電子遷移率晶體管（High electron mobility transistor, HEMT）材料的結構設計及外延生長技術。通過研究不同溝道層和勢壘層的生長溫度以及Si δ摻雜條件對InP HEMT溝道二維電子氣遷移率和面濃度的影響，得到最優的生長條件。此外，設計In<...

高濃度鈧摻雜氮化鋁壓電薄膜制備研究

摘要：采用鋁-鈧雙靶反應磁控濺射技術制備出30%濃度鈧（Sc）摻雜的高質量氮化鋁（AlN）壓電薄膜。分析了濺射功率和氣體流量對應力的影響，實現在-250～200 MPa范圍內應力可調。面內應力分布均勻，平均應力為6.49 MPa時，面內應力變化值和標準偏差分別為61.72 MPa和13.46 MPa。結合離子束刻蝕技術，膜厚均勻性可由0.77%減小至0.09%，膜厚標準偏差為0.4 nm。研究高溫退火對...

硅晶體輔助進電氧化鎵晶圓浸液放電切割技術研究

摘要：提出了一種硅晶體輔助進電的氧化鎵晶圓浸液放電切割方法，以解決金剛石線鋸切割導致的破碎、開裂及加工精度不足問題。搭建了浸液放電切割試驗系統，針對傳統伺服控制失效導致的切割軌跡閉合問題，通過放電特性分析，開發了基于放電概率檢測的閉環伺服控制系統，實現了氧化鎵晶圓的精密加工控制。創新性地提出了硅晶體輔助電極切割方法，解決了機械裝夾易引發的晶片碎裂問題，并通過對比碳纖維板等材料的放電特性，證實硅晶體輔助電...

壓力傳感器用金屬外殼封接孔結構優化及耐壓能力提升的研究

摘要：為解決絕緣體上硅（Silicon-on-insulator, SOI）壓阻式壓力傳感器加壓過程密封失效的問題，提升壓阻式壓力傳感器量程范圍，進行了提升壓力傳感器耐壓能力的相關研究。本文僅從金屬外殼封接孔結構優化設計出發，開展小孔徑直通封接孔、2種臺階狀封接孔的金屬與玻璃界面剪切應力計算、應力仿真、壓力測試，發現臺階狀封接孔結構對提高壓力傳感器密封腔內耐壓能力的效果最佳

基于CNNs技術的MCM互連可靠性研究

摘要：鑒于有限元分析（Finite element analysis, FEA）耗時和耗資源的缺點和日益復雜的電路規模，為了加速電路的互連可靠性分析，以多芯片模塊（Multi-chip module, MCM）為例，結合FEA和卷積神經網絡（Convolutional neural network, CNN）技術對其互連可靠性進行研究。通過訓練FEA所得預測數據，CNN技術可以快速構建該模型的輸入輸出非...

頂層厚金屬鈍化層損傷之制程優化方法研究

摘要：針對COMS晶圓目檢中發現的頂層厚金屬鈍化層損傷問題，通過SEM進行失效分析，給出頂層厚金屬表面損傷形成機理，定位為稀疏頂層厚金屬鈍化層頂部光刻膠厚度不夠，導致刻蝕工藝過程中在鈍化層表面造成損傷。通過設計版圖測試結構，確定了避免稀疏頂層厚金屬造成損傷的最小寬度；通過鈍化層工藝優化，在鈍化層沉積薄膜后，增加化學機械拋光工藝，降低鈍化層光刻工藝時的臺階差，提高了稀疏頂層厚金屬鈍化層頂部光刻膠附著能力，...

一種抗噪聲、高精度及瞬態增強的LDO電路設計

摘要：為了給現場可編程門陣列（Field programmable gate array, FPGA）等高性能芯片提供精確、穩定且快速負載電流變化的電壓源，提出了一種抗噪聲、高精度及瞬態增強的低壓差線性穩壓器（Low-dropout regulators,LDO）電路。通過設計基于測試結果的修調電路和精確低通濾波器，為該LDO提供了高精度且抗噪聲的基準電壓。通過設計瞬態檢測與增強電路可以快速地對負載電流...

NiB化鍍體系下HTCC外殼防止鍍層剝落的工藝研究

摘要：針對化學鍍NiB的外殼在壓焊金絲電鍍金后，挑絲易出現鍍層剝落，露出金屬化W層的問題，本文對發生挑絲后鍍層剝落的失效外殼進行分析，基于鍍層成分、結構、組織形貌等探究鍍層剝落的機理。分析發現鍍層剝落與NiB鍍層的厚度以及釬焊后焊料刻蝕的時間相關，當NiB鍍層厚度不足時，刻蝕溶液會侵蝕鍍層底部的金屬化W層，導致金屬化W層缺失及金屬化W層與NiB鍍層的結合力下降。在NiB化學鍍層厚度1.5～2.0μm、刻...

基于少數載流子壽命控制技術的增強型β-Ga₂O₃VDMOS器件的單粒子燒毀效應研究

摘要：探究了具有電流阻擋層（Current blocking layer,CBL）的增強型β-Ga₂O₃ VDMOS器件的單粒子燒毀（Single-event burnout,SEB）機制及其抗輻射加固方法。通過TCAD仿真分析，揭示了SEB關鍵物理機制：重離子轟擊導致溝道?源極連接區域產生空穴累積，并通過碰撞電離過程不斷生成額外空穴，最終引發局部熱失效和器件...

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