【雜志簡介】

　　《半導體技術》以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺，達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢;專題報道：每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用：半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料：介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發：各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向;封裝、測試與設備：介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術：現代管理：半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品，等管理技術;綜合新聞：及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息�！栋雽�體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　中文核心期刊

　　中國科技論文統計用刊

　　國外數據庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫

　　【欄目設置】

　　欄目主要設有： 1中國半導體發展趨勢論壇(綜述)：誠邀《半導體技術》的專家顧問發表精辟觀點和看法;政府主管部門領導提出政策投資建議。 芯片生產工藝技術：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術等。 IC封裝及測試：國外先進封裝技術如微間距打線技術;BGA; 疊合式/三維封裝;Quad 封裝等。以及IC測試、系統級測試等。新材料新設備：對半導體支撐材料如納米材料、環氧膜塑料、硅材料、低介電常數材料、化合物等及8-12英寸制造設備、后工序設備、試驗設備等加以闡述。全國集成電路產業介紹：圖文并茂的介紹中國集成電路產業發展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業：(采訪追明星蹤)針對國內外半導體行業的主流企業進行針對性訪問和系統介紹。為供需雙方提供具有參考價值的范本。新品之窗：對半導體設計與材料設備的新產品予以相關介紹和推薦設計與應用 ：嵌入式系統、PLD/FPGA設計;通信、網絡技術、DSP和多媒體應用;電源器件、數字/模擬IC、消費類/工業類電子器件等應用技術業界動態：綜合報道世界半導體行業最新動態會議報道：專門報道行業相關會議，傳達精神，指導工作。

　　雜志優秀目錄參考：

　　1 西門子解決方案合作伙伴計劃 637

　　2 硅基自旋注入研究進展 盧啟海;黃蓉;鄭礴;李俊;韓根亮;閆鵬勛;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s時間交織流水線A/D轉換器的設計 楊陽;張科峰;任志雄;劉覽琦; 647-652+662

　　4 低頻低功耗無源RFID模擬前端設計與分析 林長龍;孫欣茁;郭振義;李國峰;梁科;王錦; 653-657

　　5 一種高頻E類功率放大器設計方法 劉超;陳鐘榮; 658-662

　　6 GaAs場效應晶體管不同極性ESD損傷機理 林麗艷;李用兵; 663-666

　　7 pH值對低磨料堿性銅拋光液穩定性的影響 秦然;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇;武鵬;王娟; 667-670+710

　　8 高濃度臭氧超凈水制備及在硅片清洗中的應用 白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等離子體刻蝕多種磁性金屬疊層 劉上賢;汪明剛;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子點邊緣結構和形貌的第一性原理計算 沈濤;梁培;陳欣平;歷強; 679-683

　　11 TSV封裝通孔形態參數對焊點熱疲勞壽命的影響 張翼;薛齊文;劉旭東; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圓片級封裝焊點剪切力研究 奚嘉;陳妙;肖斐;龍欣江;張黎;賴志明; 692-698

　　13 點燃產業創新之火,IC China推動FPGA產業發展 698

　　14 基于可控電流源的太陽電池模型參數測試方法 張淵博;韓培德;卓國文; 699-705

　　15 用于監測硅片應力的紅外光彈儀 蘭天寶;潘曉旭;蘇飛; 706-710

　　16 HTCC工藝通用自動上下料系統設計與實現 張超;鄭宏宇;李陽; 711-717

　　17 第一次征稿通知 第11屆國際專用集成電路會議 718-719

　　18 2015’全國新型半導體功率器件及應用技術研討會會議通知 720

　　中國廣播電視學刊投稿：控制理論和控制工程的發展與應用分析

　　摘 要 隨著科學技術的不斷完善和發展，控制工程與控制理論也得到了不斷的完善，控制理論和控制工程被廣泛應用于各大企業系統生產中。在本篇文章里，筆者在控制工程與控制理論的基礎知識理論上，對控制工程與控制理論的相關歷史發展階段進行研究，并且分析了控制理論和控制工程的應用，以期望能夠為控制系統的發展以及相關研究提供有用的參考依據。

　　關鍵詞 控制理論和控制工程,發展,應用

　　控制理論雖然起源于英國18世紀的技術革命時期，但是卻在二十一世紀被廣泛應用。隨著社會經濟的不斷發展，控制理論和控制工程被廣泛的應用于相關工程企業當中。在本篇文章里，筆者不僅分析了控制理論和控制工程的發展，還探索了控制理論和控制工程的應用前景。

　　半導體技術最新期刊目錄

面向芯片表面缺陷分割的輕量級多尺度網絡結構DSDLF-UNet

摘要：針對芯片表面缺陷圖像的語義分割任務，現有模型存在特征提取能力不足、參數量（Params）過大等問題。提出一種面向芯片表面缺陷分割的輕量級多尺度網絡結構—DSDLF-UNet。編碼器部分設計了雙分支深度可分離空洞卷積（DSDConv）模塊，該模塊融合深度可分離卷積（DSC）與空洞卷積（DC）的優勢，以增強局部細節特征表達和全局感受野的建模能力。主干部分提出輕量級局部-全局空洞空間金字塔池化（LG-A...

基于TDIM的高精度功率SMD結殼熱阻測量技術

摘要：為解決功率表面貼裝器件（SMD）散熱基板與電學引出端共面導致短路及熱電偶法測溫誤差問題，首次提出一種基于瞬態雙界面法（TDIM）的高精度結殼熱阻(R_θJC)測量技術。通過設計含銅板凸臺結構與絕緣定位板的專用夾具，有效消除電氣短路；結合TDIM替代熱電偶法，消除了熱量"芯吸"效應與測溫位置誤差。以TO-277封裝肖特基二極管為實驗對象，測得R_θJC為0.3...

基于Pd修飾SnO₂的三乙胺氣體傳感器

摘要：采用溶劑熱法和煅燒合成了金屬有機框架（MOF）衍生Pd修飾的SnO₂復合材料，以此為基礎制作了純SnO₂和一系列Pd/SnO₂氣體傳感器。使用X射線衍射儀、場發射掃描電子顯微鏡和X射線光電子能譜儀對樣品進行表征，結果顯示Pd的修飾使復合材料中氧空位含量有所增加，而復合材料的晶相結構及形貌不會發生顯著變化。氣敏測試結果表明，Pd/Sn...

基于氦質譜檢漏技術的SiC襯底微管檢測設備

摘要：為解決SiC襯底微管缺陷檢測精度低、效率差的問題，研制了基于氦質譜檢漏技術的SiC襯底微管檢測設備。該設備以PFEIFFER公司的ASM 340型檢漏儀作為檢測核心、西門子S7-1200系列可編程邏輯控制器（PLC）作為控制核心、節卡機器人股份有限公司的JAKA Zu@7型機器人作為自動搬運系統，實現SiC襯底微管缺陷的全自動檢測。使用ANSYS Workbench仿真平臺對襯底密封結構進行受力分...

基于單彎引線互連的CQFP射頻傳輸性能

摘要：為滿足新一代高頻率、高速率及高散熱射頻(RF)微波器件的封裝需求，提出了一種采用單彎引線互連結構的陶瓷四邊扁平封裝(CQFP)。單彎引線互連結構的引線端頭直接與引線焊盤焊接，相較于傳統的翼型引線互連結構，其可將引線焊盤長度由1.00 mm縮短至0.50 mm,有效改善了焊盤的阻抗匹配效果。通過仿真分析了信號線中心距、焊盤尺寸、垂直通孔直徑和焊料量對射頻傳輸性能的影響，確定最優參數分別為：信號線中心...

富磷半絕緣磷化銦晶體生長的行波磁場調控

摘要：針對高壓垂直梯度凝固(HP-VGF)法生長InP晶體，建立了行波磁場作用下的晶體生長流動傳熱數值模型，并結合晶體生長實驗研究了磁場對富磷半絕緣InP晶體中缺陷生成與摻雜分布的調控作用。研究結果表明，行波磁場可以在InP熔體中產生足夠大的洛倫茲力，使得熔體流動增強且溫度分布發生變化；磁場調控使孿晶形核概率降低了15%,促進富磷熔體中氣泡的逃逸，獲得少氣孔甚至無氣孔的InP晶體，并能夠減少晶體中心位錯...

矩形微同軸工藝研究與器件制備

摘要：在需要大帶寬和低損耗的微波傳輸系統中，微電子機械系統(MEMS)工藝參數對矩形微同軸結構的射頻(RF)性能影響較大。仿真分析了該微同軸內部導體表面粗糙度、內導體寬度、側壁傾斜度與傳輸損耗、特性阻抗等射頻參數的關系。結果表明，表面粗糙度增大導致傳輸損耗單調增大，內導體寬度減小和側壁傾斜度增大均導致特性阻抗變大。通過工藝實驗驗證了仿真結果并優化了相關參數。制作了矩形微同軸功分器、多零點帶通濾波器樣品并...

研磨和拋光參數對（001）面β-Ga₂O₃單晶襯底表面質量的影響

摘要：襯底的表面質量對鹵化物氣相外延（HVPE）法生長的同質外延薄膜的質量至關重要。研究了（001）面β-Ga₂O₃單晶襯底研磨和拋光工藝中研磨盤材質、研磨壓力、拋光墊種類等參數對材料去除速率（v_R）、表面粗糙度（R_a）和表面質量的影響。實驗結果表明，采用樹脂銅盤、樹脂錫盤和SUBA800拋光墊配合3μm粒徑的多晶金...

基于FPGA的功率器件封裝缺陷實時檢測

摘要：針對基于機器視覺的功率器件封裝缺陷檢測技術實時性差、計算資源消耗較高的問題，基于現場可編程門陣列（FPGA）設計了一種功率器件封裝缺陷實時檢測器。首先，提出一種基于深度可分離卷積（DSConv）的輕量型Mini-DSCNet卷積網絡，使用深度卷積和逐點卷積代替標準卷積，仿真結果表明，該模型的浮點運算量（FLOPs）和參數量（Params）分別約為MobileNetV1的4.375%和0.021%，...

基于Bi-LSTM網絡的封裝基板翹曲預測模型

摘要：針對封裝基板的翹曲預測問題，提出一種基于循環神經網絡（RNN）與雙向長短期記憶（Bi-LSTM）網絡相結合的機器學習方法，構建封裝基板翹曲預測模型。該模型可預測非對稱基板翹曲分布，并有效提高預測效率與準確性。為獲取模型訓練所需數據集，開發了隨機游走自動布線算法生成不同特征的基板布線結構，并利用銅跡線強化有限元分析（FEA）方法獲取翹曲分布數據。研究結果表明，Bi-LSTM網絡模型在80個訓練周期內...

TOPCon太陽電池復合鈍化層參數對抗紫外能力的影響

摘要：針對隧穿氧化物鈍化接觸（TOPCon）太陽電池在紫外（UV）輻照下的性能衰減問題，提出了電池鈍化層改進工藝。分析了不同AlO_x層厚度（3～6 nm）和SiN_x層折射率（2.0～2.3）下TOPCon太陽電池的抗紫外誘導衰減（UVID）能力，并揭示了其在紫外輻照下的電性能衰減機制，即Si—H鍵斷裂直接導致開路電壓衰減。適度增厚AlO_x...

基于VO₂（B）納米帶的超快響應柔性呼吸傳感器

摘要：柔性呼吸監測技術在慢性阻塞性肺疾病和阻塞性睡眠呼吸暫停等疾病的早期診斷中展現出重要的臨床應用潛力。提出了一種基于B相二氧化釩納米帶(VO₂（B） NB)的高靈敏度、超快響應的柔性呼吸傳感器。通過水熱法合成的VO₂（B） NB能在室溫下檢測相對濕度（RH）在26%～93%范圍內的變化。通過將VO₂（B） NB與頂層金叉指電極及底層柔性...

基于YOLOv10n的BGA錫球缺陷檢測算法

摘要：球柵陣列（BGA）錫球缺陷的高效檢測是保障芯片質量的核心環節，而缺陷樣本的稀缺性為基于深度學習方法的有效訓練帶來了挑戰。設計了一種基于前景-背景加權融合的數據增強方法，有效緩解了訓練樣本的不足。并提出了一種基于YOLOv10n的BGA錫球缺陷檢測算法EMP-YOLOv10n。首先，構建跨尺度高效特征融合網絡（EffiFuseNet），在減少參數量（Params）的同時，增強對缺陷細節的捕捉能力；其...

基于負載調整的谷底鎖定準諧振反激式變換器芯片

摘要：在傳統準諧振反激式變換器中，谷底導通能降低開關損耗。但由于相鄰谷底對應的輸出功率不連續，導致谷底跳頻，造成可聞噪聲及功耗增大。采用華虹90 nm BCD工藝設計了一種基于負載調整的谷底鎖定準諧振反激式變換器芯片，采用動態跟隨電路提高谷底檢測精度，通過動態檢測負載來調整谷底導通并實現谷底鎖定功能。仿真及測試結果表明，在輸入電壓為220～311 V、輸出電壓為15 V的恒壓模式下，谷底導通偏移量減小了...

一種波導內阻抗匹配的0.4THz寬帶倍頻器

摘要：為滿足近場通信和成像等應用領域對0.4 THz寬帶倍頻器的需求，基于GaAs肖特基勢壘二極管(SBD)設計了一款工作在0.4 THz的寬帶平衡式二倍頻器。該設計采用波導內輸出阻抗匹配結構，解決了傳統懸置帶線設計中阻抗失配導致的帶寬受限問題。二倍頻器采用反向偏置工作模式，通過優化散射參數的相位一致性，提高了諧波合成效率。設計了0.4 THz寬帶的E面探針過渡和直流偏置的集成復合結構，采用緊湊型諧振器...

一種高精度隔離運算放大器

摘要：隔離運算放大器是一種測量放大電路，采用振蕩器、脈沖變壓器、運算放大器、調制解調電路及有源低通濾波器設計了一款磁隔離運算放大器。輸入端選用高性能運算放大器SGM8249,通過配置外部電阻使輸入電壓為-500～500 mV時，輸出可調電壓為-10～10 V。此外，還設計了輸出電壓為±15 V、輸出電流為±15 mA的隔離直流電源。該放大器共模電壓均方根值為3 500 V,共模抑制比大于120 dB,非...

激光焦平面探測器組件工作壽命評估方法

摘要：激光焦平面探測器組件作為激光三維成像系統的核心組成部分，需要具備高可靠性和長使用壽命。通過故障模式、影響及危害性分析(FMECA)系統識別了激光焦平面探測器組件的壽命薄弱環節，深入剖析了影響其壽命的主要因素，并提出以薄弱環節替代整體產品進行壽命評估的方法。針對激光焦平面探測器組件存在長壽命周期與試驗樣本量有限的特點，提出了一種k/n可靠性建模方法�；�于正常應力下的小樣本壽命試驗，利用像元壽命數據實...

lnP快速注入合成、提純與大尺寸高品質多晶制備

摘要：高純InP是制備高品質單晶的基礎，通過分析InP注入合成過程及動力學，闡明了InP快速注入合成與提純機理。注入合成與提純的主要機制為：注入合成速率快，其他耗材對合成熔體的污染少；高壓氣泡形成與遷移過程起到吸收易揮發雜質元素的作用；注入合成后提拉生長可以對多晶錠進一步提純�；�于晶體生長原理，分析了富銦生長和富磷生長缺陷的形成機制。通過控制熔體的配比度，獲得了抑制上述缺陷的條件。通過InP快速注入合成...

電-熱-力耦合下扇出型晶圓級封裝RDL導電層熱-力可靠性分析

摘要：為研究導電層對重分布層（RDL）可靠性的影響，基于電-熱-力多物理場耦合建立扇出型晶圓級封裝（FOWLP）互連結構多尺度三維模型。采用有限元分析法研究了導電層材料、厚度及過渡角度對RDL溫度場和應力場分布的影響。研究結果顯示，在RDL熱-力分布中，導電層起主導作用。與材料和厚度相比，導電層結構的過渡角度對RDL可靠性的影響相對較小。過渡角度在130°～160°范圍內時，溫度與應力極值波動小于1%;...

基于YOLOv8n-FESS的PCB缺陷檢測算法

摘要：針對當前印刷電路板(PCB)缺陷檢測方法復雜度高、計算量大、容易產生誤檢漏檢等問題，提出了一種YOLOv8n-FESS輕量化檢測算法。該算法對骨干(Backbone)網絡C2f模塊中的瓶頸(Bottleneck)結構進行改進，引入快速網絡(Fasternet)中的部分卷積(PConv),以增強其特征提取能力，并融入高效多尺度注意力(EMA)機制，進一步提升Backbone的特征表征能力；在頸部(N...

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