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微電子學
關注()【雜志簡介】
《微電子學》是技術類期刊。傳播、普及、推廣 微電子科學技術知識,介紹國內微電子行業的最新研究成果和國外微電子業界的發展動態。有關微電子學基礎理論,微電子器件與電路, 集成電路,半導體工藝和制造技術,集成電路封裝技術,多芯片組件技術,集成電路可靠性技術,片上系統,集成系統等領域的研究論文、技術報告、綜合評述、產品應用等內容。該刊重點檢索刊物、數據庫、期刊網站所收錄,是中國核心期刊之一。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
中文核心期刊
信息產業部優秀電子科技期刊
中國期刊方陣“雙效”期刊
國外數據庫收錄:俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫
【欄目設置】
本刊主要刊登有關微電子學基礎理論,微電子器件與電路, 集成電路,半導體工藝和制造技術,集成電路封裝技術,多芯片組件技術,集成電路可靠性技術,片上系統,集成系統等領域的研究論文、技術報告、綜合評述、產品應用等內容。
雜志優秀目錄參考:
一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準源 韓雨衡;趙少敏;劉增鑫;賀婭君;華浩翔;張國俊417-420
一種高效率寬電壓輸入混合集成開關電源設計 柴漢冬;尹華421-424+428
一種高電源抑制比的全MOS電壓基準源設計 唐俊龍;肖正;周斌騰;謝海情425-428
一種USB電源管理芯片雙門限限流保護電路 譚玉麟;馮全源429-432
一種低相位噪聲鎖相環頻率合成器的設計 李通;陳志銘;桂小琰433-436+440
一種基于全差分積分器的時鐘穩定電路設計 羅凱;朱璨;胡剛毅437-440
基于90nm CMOS工藝的37GHz分頻器 安鵬;陳志銘;桂小琰441-443+448
一種電流型非線性補償帶隙基準的設計 徐鵬程;尹桂珠;韓志剛444-448
帶使能端及保護電路的LDO設計 汪雪琴;李力南;歐文;翟鵬飛;毛少博449-453
一種用于TRIAC導通角測量的時鐘振蕩電路 周英娜;郭寶明;馮玲玲;李威454-456+460
一種高CMRR高增益運算放大器的設計 何澤煒;郭俊;張國俊457-460
可集成于汽車電壓調節器的高性能振蕩電路 王建衛;李佐;張鳳玲;張輝461-464
一種電流自適應溫度的LED驅動電路 武世明;曾以成;陶亮465-468+473
一種用于PIR控制芯片的級聯積分梳狀濾波器 徐進;李澤宏;王子歐;江猛469-473
一種有效實現IC時序收斂的方法 祝雪菲;張萬榮;萬培元;林平分;王成龍;劉文斌474-478+483
單粒子瞬態脈沖的片上測量 蔣見花;向一鳴;周玉梅479-483
基于肖特基勢壘二極管整流的功率指示計設計 李琰;肖知明;俞航;劉少華;Amara AMARA484-487
高精度電流模式四象限乘法器的設計與應用 吳湘鋒;李志軍;張黎黎488-491+496
準諧振正激變換器零電壓開關設計 吳限;王強;蔣云楊492-496
電子科技論文發表:基于北斗搜尋救助定位系統的定位終端設計
摘 要:北斗搜尋救助定位終端是整個系統的核心,該文設計了一套適用于弱勢群體定位終端,重點講述了該終端的定位模塊、單片機模塊以及無線通信模塊的電路設計,并通過硬件電路調試,將終端成功運行起來,北斗接收終端通過串口調試助手進行測試,結果表明北斗接收機能夠正常接收來自北斗衛星和GPS衛星的導航信息,并且能接收和發送短信。
關鍵詞:北斗衛星,定位終端,無線通信
現今我們在不熟悉的場所唯一依賴的 GPS或衛星電話,這些對老人、兒童以及智障人士來說無疑是毫無用處的,而危險無處不在,如果無法及時掌握這些人的動態信息,可能會導致悲劇的發生。因此設計一套基于北斗衛星導航的搜尋救助系統是非常有必要的。在搜尋救助系統中定位終端需要帶在行人的身上,才可以對其進行實時的監控、跟蹤,因此如何設計較小的定位終端在搜尋救助定位系統中有著至關重要的地位。在終端的設計中,文章采用了體積較小的BD/GPS雙模定位模塊UM220。TC35i模塊作為無線通信模塊。采用C8051F380單片機,一方面可以控制北斗模塊的位置信息的接收,另一方面可以控制無線通信模塊與遠程服務器進行通信。
微電子學最新期刊目錄
SiC超結功率MOSFET的研究進展
摘要:碳化硅(SiC)超結金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)憑借其卓越的電氣性能,已成為下一代功率電子器件的研究熱點。本文對SiC超結MOSFET的最新研究進展進行了全面而系統的綜述,首先概述了SiC材料的特性優勢以及當前SiC MOSFET的發展概況,介紹了超結結構的基本原理及其在突破傳統導...
全數據流驅動架構AI芯片單粒子效應研究
摘要:針對全數據流驅動架構人工智能芯片在大氣環境中面臨的大氣中子誘發單粒子效應問題,利用中國散裂中子源大氣中子輻照譜儀對一款全數據流驅動架構的16 nm FinFET工藝神經網絡處理芯片,進行了大氣中子單粒子效應輻照測試研究。該芯片采用全數據流驅動架構,并具有近存計算范式特征,實現了存儲與計算單元的緊密融合。本研究對象與傳統聚焦于指令流驅動(馮·諾依曼特征)架構芯片的單粒子效應研究形成了區別。這是本研究...
集成多晶硅負反饋電阻的30V雙極新器件及三級運算放大器設計
摘要:首次提出了兼容30 V BiFET工藝的多晶硅發射極NPN新器件NRE-NPN,該器件具有多晶硅負反饋電阻新機理,可實現對輸入電壓和溫度變化自調整,故拓寬高精度運算放大器的應用范圍。在運算放大模式下,NRE-NPN保持較穩定的電流增益β值,約為147。當ΔVBE為0.2 V時,β僅變化24,較傳統NPN(C-NPN)變化量降低40%,且安全工作區(SOA)擴寬10%,有效緩解...
基于邏輯復制與資源均衡的多FPGA系統劃分后優化方法
摘要:隨著集成電路設計規模不斷擴大,多FPGA系統成為解決大規模設計仿真的關鍵手段,但其設計分割問題突出。現有方法多集中于單一資源約束下基于拓撲關系的電路劃分,忽視邏輯復制與多資源約束,難以滿足復雜系統需求。文章針對多FPGA系統設計中多種資源約束利用不均以及邏輯復制下節點關系優化難題,提出基于平均資源分配與加權偏差的多資源綜合評估方法,優化FPGA資源利用率,并在初始劃分與細化階段給出資源分配策略;同...
一種信號處理微系統電磁兼容特性優化研究
摘要:針對某信號處理微系統在電磁輻射敏感度試驗中出現的模數轉換器(Analog-to-Digital Converter,ADC)輸出碼值大幅波動問題,開展電磁兼容異常機理分析與屏蔽優化技術的研究。該微系統采用裸芯片集成與剛撓結合架構;通過整體屏蔽、拆殼裸板測試、模擬信號通路局部屏蔽等多組對比試驗,定位了敏感源,并同時驗證了原有金屬外殼對高頻輻射幾乎無屏蔽效能。針對性地提出關鍵信號線地平面隔離、關鍵模擬...
高溫下金鋁鍵合退化及可靠性研究
摘要:針對高溫下金鋁鍵合系統的退化及可靠性問題,進行150 ℃、165 ℃和180 ℃高溫貯存試驗,利用鍵合強度測試、掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜分析(EDS)等技術,研究金鋁鍵合的退化規律、金屬間化合物(IMC)的生長特性及脫鍵界面特征。結果表明,鍵合強度隨貯存時間呈下降趨勢,且“芯片上鍵合拉斷”模式占比逐漸增長;高溫會加速鍵合界面IMC的生長,并最終以Au5Al2<...
一種高能效的Softmax近似算法與硬件加速器設計
摘要:針對Softmax函數在硬件實現中存在的效率低、功耗和面積大等挑戰,設計一種高能效的近似算法及硬件加速器。首先,提出稀疏優先化方式避免無效項的全部計算和存儲需求,并設計局部-全局最大值協同更新方法,提高稀疏檢測準確度和計算效率;其次,研究近似算法,并利用冪域融合機制,將復雜指數和除法的近似歸約至同一個簡單指數運算,降低計算復雜度;然后,提出誤差感知的分段線性擬合算法,并設計共享編碼的擬合電路以優化...
一種集成自適應DFE和閾值電壓校準的28 GBaud NRZ/PAM4雙模SerDes接收機設計
摘要:基于65 nm CMOS工藝設計了一款1/4速率結構28 GBaud NRZ/PAM4雙碼制SerDes接收機,其中包括模擬前端電路,雙模自適應DFE,自適應閾值電壓校準電路以及無參考時鐘CDR電路等模塊。模擬前端電路首先對接收信號進行幅度調整與初步均衡;基于LMS算法的DFE對信道衰減進行高頻補償;基于數字校準的自適應閾值電壓跟蹤電路對兩種模式下對比較器的閾值電壓進行跟蹤校準;集成雙模過零點檢測...
帶漏源鉗位的用于反激變換器的改進型同步整流器驅動電路
摘要:同步整流器已廣泛應用于反激式變換器以降低導通損耗,特別是在低輸出電壓、高輸出電流的應用場景。傳統同步整流器驅動電路由于關斷速度慢、傳播延遲大,難以精確控制關斷過程,導致同步整流器過早或延遲關斷。文章提出一種具備漏源鉗位功能的改進型驅動電路,該電路能夠檢測同步整流器電流,并自動調整驅動電壓,以實現快速關斷,避免過早或延遲關斷的問題。為了驗證其控制方法的可行性,文章采用0.5 μm/40V-BCD工藝...
寬輸入范圍高PSRR低溫漂帶隙基準電壓源
摘要:為提升高壓應用場景下電源管理芯片的高精度性能,本文設計了一種寬輸入電壓范圍、高電源抑制比、低溫漂的帶隙基準電壓源。采用分段曲率補償實現溫度分配,有效降低溫度系數。通過預穩壓電路與電源抑制比增強電路實現寬輸入范圍,同時顯著提高電源抑制比;0.18 μm CMOS工藝,完成電路、版圖設計與仿真。電源電壓為18 V時,輸出電壓為1.238 V,PSRR為 -187.3 dB@DC,在-40°C~12...
基于正交試驗的金錫密封空洞控制問題研究及仿真驗證
摘要:文章介紹了金錫焊料在密封工藝中的應用以及金錫焊料密封空洞的判斷和意義。為了研究金錫焊料工藝過程中溫度,時間,壓力以及夾持方式等四個因素對密封空洞的影響權重,設計了基于正交試驗的四因素三水平正交試驗方案,通過試驗結果,確定夾持方式是影響金錫密封空洞的最重要的影響因素。在此基礎上,結合DIP16AE管殼,進行了仿真建模,并得到了最佳夾持方式下的仿真結果,該結果進一步解釋了其對密封空洞的作用關系。最后,...
一種基于文本串的版圖圖形精確匹配方法
摘要:隨著工藝節點不斷演進,光刻熱點對芯片良率影響顯著放大,快速、完備的熱點檢測成為可制造性設計(Design For Manufacturability, DFM)關鍵環節。針對現有方法特征冗余、復雜度高等問題,提出一種基于DFA和哈希的兩階段圖形匹配算法。首先以模板最長輪廓路徑為核心,將幾何信息編碼為字符串并構造一個匹配時間復雜度為O(n)的確定性有限狀態機(Deterministic Finite...
同步降壓型DC/DC總劑量效應及退火效應研究
摘要:對國產Buck型同步DC/DC變換器在60Co γ射線下開展電離總劑量輻照試驗及輻照后退火效應研究。分析DC/DC變換器在不同工作電壓及特定負載模式下重要電參數輸入電流、輸出電壓、輸出電流隨輻照總劑量變化關系和退火規律。試驗結果表明,三種重要電參數在不同工作電壓及不同負載模式對輻照總劑量的變化規律上表現出一致的趨勢。無論是常溫退火還是高溫退火,DC/DC變換器的電參數僅空載模...
大氣中子輻射對SiC功率MOSFET魯棒性的影響
摘要:碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)憑借其優異的性能,在以新能源為主體的新型電力系統中展現出廣闊的應用前景。然而研究發現,當SiC 功率器件應用于高海拔、高緯度地區時,大氣中子輻射會對其可靠性構成致命威脅。盡管已有研究證實,通過降低器件電壓可減緩中子輻射引發的單粒子燒毀問題,但尚未明確在降額后的安全電壓下,中子輻射是否會影響器件的魯棒性。聚焦中子輻射對SiC功率MOSFET...
基于遙測擁塞因子的高效網絡擁塞控制算法
摘要:隨著數據中心網絡規模增長,網絡擁塞成為限制網絡帶寬及網絡穩定性的瓶頸,F有主流擁塞控制方法如HPCC、DCQCN、TIMELY都存在固有局限性,無法兼具敏捷響應與精確調控。為突破現有瓶頸,提出TCFCC擁塞控制算法。該算法基于網絡遙測信息在動態和靜態兩個維度對網絡擁塞進行精確量化并將其乘性耦合,首次提出了動靜態融合的遙測擁塞因子,同時依據鏈路規格定義理想擁塞因子作為速度調控的參考指標,并設計了相應...
一種具有改進Burst模式的準諧振反激式AC/DC芯片設計
摘要:介紹了一種應用于反激式變換器原邊反饋的AC/DC芯片,芯片具有恒流、恒壓工作方式,在啟動階段采用恒定電流為負載供電,達到額定輸出電壓后進行恒壓輸出。芯片具有高效率、低待機功耗的特點,重載時采用準諧振模式降低開關損耗,輕載時采用Burst模式降低導通損耗,該Burst模式的特點是以一簇多次發波的形式間隔導通開關管,恒定峰值電流以實現能量傳遞恒定,固定開關頻率實現無音頻噪聲。最終設計出一款多模式原邊反...
一種用于BUCK電源在低壓差階躍時過沖的新型軟啟動電路設計
摘要:當BUCK轉換器輸入電壓低于額定輸出電壓進入低壓差狀態后,若輸入電壓階躍恢復,常因環路響應不足導致輸出電壓過沖,損害元件與負載電路。提出一種兼容上電軟啟動功能的新型軟啟動電路以抑制此過沖。該電路包含緩升斜坡電壓、集成低電壓選擇器的誤差放大器(A1)以及帶失調的誤差放大器(A2)。在低壓差狀態下,反饋電壓低于閾值時,A2觸發并將斜坡電壓鉗位于反饋電壓附近。在低壓差狀態階躍恢復時,A2關閉鉗位,斜坡電...
一種高速低噪聲運算放大器
摘要:介紹了一種采用互補雙極工藝制作的高速低噪聲運算放大器。運算放大器電路采用共模線性化輸入結構,設計了一種新型偏置電流補償電路,可有效降低輸入偏置電流;通過優化輸入級線路和工作狀態,降低了運放的噪聲和失真;采用外部頻率補償技術,可保證運放在穩定工作的前提下最大化帶寬。芯片測試結果表明,在±5 V電源電壓條件下,等效輸入電壓噪聲為0.86 nV/√Hz,壓擺率為1 337 V/μs,-3 dB帶寬為81...
一種10bit 1GS/s時域量化模數轉換器設計
摘要:為滿足射頻高速采樣應用,設計了一種單通道10 bit 1GS/s低功耗高速高精度時域量化模數轉換器(TD ADC)。對輸入信號進行電壓-時域轉換后,利用二進制折疊并行延遲線時間數字轉換器(TDC)和時域余量提取技術,通過三級時域流水線量化依次進行時域數字量化轉換,提升了TDC轉換速率。該TD ADC 基于16 nm FinFET工藝設計,采用1V電源供電,對電路進行設計仿真,當采樣速率為1GS/s...
CongestionFormer:面向邏輯綜合后網表的布線擁塞預測模型
摘要:隨著芯片互連復雜度的提升,準確的布線擁塞預測是保障芯片性能的關鍵。相較傳統方法在布局階段之后預測,若將預測環節前移至邏輯綜合之后,則可有效防止擁塞效應在布局布線階段累積并引發多輪全局迭代。因物理信息缺失,現有綜合后布線擁塞預測方法在細粒度建模與深層表征上仍顯不足。提出一種面向綜合后階段的多頭圖Transformer布線擁塞預測模型。該模型引入多頭注意力機制,對局部連接及鄰域差異進行細粒度建模,緩解...
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