功能材料與器件學報
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功能材料與器件學報
關注()- 期刊周期：雙月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內統一刊號：31-1708/TG
- 國際標準刊號：1007-4252
- 主辦單位：中國科學院上海微系統與信息技術研究所;中國材料研究學會
- 主管單位：中國科學院
- 上一本期雜志：《材料研究學報》核心科技期刊
- 下一本期雜志：《復合材料學報》核心期刊論文發表
【雜志簡介】
《功能材料與器件學報》于1995年創刊，是由中國材料研究學會和中國科學院上海微系統與信息技術研究所共同主辦的全國性學術期刊。、讀者對象為功能材料與器件領域的科研工作者、工程技術人員和高等學校師生。
本刊主要刊登反映功能材料與器件領域中具有創新性的科研成果和應用技術進展的論文、簡報、綜述和消息。來稿可以涉及功能材料的制備、加工、性能和應用，以及功能器件的原理、工藝和性能等等，具體可以包括下列領域：微電子機械系統(MEMS)、微電子和光電子材料與器件、薄膜材料與器件、納米材料與器件、智能材料與器件、傳感器和傳感器材料、金剛石薄膜及應用、磁性和磁光電材料、鐵電材料、生物材料、高溫超導材料等。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄 獲獎情況
美國Ei,美國CA，英國SA，俄羅斯PЖ的文獻源期刊
中國科技論文統計源期刊、中國科學引文數據庫來源期刊
中國學術期刊綜合評價數據庫來源期刊
國外數據庫收錄
俄羅斯文摘雜志
美國化學文摘
英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫
【欄目設置】
主要版塊欄目：綜述、論文、簡報、進展、消息。
雜志優秀目錄參考：
1 工業級和宇航級FPGA器件抗力學性能分析 呂強;尤明懿;管宇輝; 173-178
2 一維納米陣列制備及其在電化學生物傳感器中的應用 崔接武;王巖;張勇;舒霞;吳玉程; 179-193
3 LCOS投影顯示技術 李任鵬;顏莉華; 194-198
4 用于氣相冰毒檢測的區域規整的高通透聚合物 王月蓉;高宜迅;陳蕾;賀慶國;程建功; 199-204
5 熱處理中Si/SiGe/Si界面互擴散 文嬌;劉暢;俞文杰;張波;薛忠營;狄增峰;閔嘉華; 205-208
6 基于改進的粒子群算法的MEMS移相器設計 梁軍;劉建霞; 209-214
7 管狀介電彈性體驅動器電致應變特性分析 楊宏亮;樊亞玲; 215-218
8 基于LTCC技術的高性能級聯帶通濾波器的研究 戴永勝;楊茂雅; 219-223
9 基于混合信息增量矩陣的傳感器網絡故障自檢測算法 梁希文;馬斌; 224-228
10 SA-g-P(AA-co-AM)/KL復合高吸水性樹脂的制備及吸液性能研究 寇小燕;唐堯基;豆慶賀; 229-234
11 錳鋅鐵氧體的制備研究進展 雷偉;劉永生;徐娟;杜文龍;司曉東;郭保智;高湉;彭麟; 235-241
12 自組裝膜-石墨烯界面修飾及其在電子傳遞領域中的研究與應用 左國防;李志鋒;楊建東;王宇晶; 242-247
13 Dy0.15Fe1.85O3磁顆粒的有機改性對其硅油基磁流體磁性能及穩定性的影響 殷金昌;楊沖;陳靜;張茂潤; 248-253
14 6-乙烯基-1,1-雙二茂鐵基丁烷的聚合反應及其聚合產物的研究 王曉莉;鄧起發;付淵; 254-257
期刊投稿范文：基于異步復制的容災系統研究
[摘 要]介紹了數據備份策略與容災技術，闡述容災系統的指標以及容災等級。并通過基于異步復制機制實施了本地信息化系統的遠程容災中心，實現了信息系統的高可用性。測試結果驗證該方案具有可靠地的備份性能和數據有效性。
[關鍵詞]期刊投稿范文,備份,異地備份,容災能力
引言
隨著運營商企業信息化進程的不斷深化，管理信息系統已經成為支撐企業業務運行的重要平臺，同時業務的發展也對管理信息系統的業務支撐能力和可靠運行的要求越來越高。陜西移動基礎設施的集中建設在實現業務快速響應和控制運營成本的同時，也帶來故障點集中的風險問題，如自然災害、電網停電等不可控風險。因此，適時、合理的規劃和開展異地容災建設，成為確保信息化系統高可用的重要手段。
功能材料與器件學報最新期刊目錄
基于MXene復合薄膜的氨氣傳感器研究
摘要：為滿足工農業生產中的氨氣檢測需求，開發了一種可實時檢測氨氣濃度的系統。以碳化釩鋁（V2AlC）為主要原料，通過刻蝕和熱處理工藝制備了納米V2C MXene/V2O5復合薄膜，并采用噴涂法制備了基于該復合薄膜的氨氣傳感器。測試了該傳感器在不同氨氣濃度下的氣敏性能，結果表明，復合薄膜傳感器具有優異的氨氣敏感特性。針...
薄鋰制造工藝前沿探索與應用前景展望
摘要：鋰金屬電池因其超高的理論容量和極低的電位，在化學儲能領域展現出廣闊應用前景。然而，鋰枝晶的不可控生長及電極體積的劇烈膨脹等問題嚴重制約其實際應用。目前針對鋰金屬負極穩定化的研究雖取得顯著進展，但研究對象多為厚鋰（厚度>200μm），這不僅導致活性材料利用率較低，還可能造成改性策略的評估偏差，難以滿足高能量密度電池的設計需求。值得注意的是，實現薄鋰（厚度<50μm）的規模化制備仍面臨嚴峻...
集成梳齒電容位移傳感器的靜電驅動MEMS光學移相器研究
摘要：提出并制作一種集成梳齒電容位移傳感器的靜電驅動型微機電系統（MEMS）光學移相器。針對當前MEMS光學移相器普遍存在的驅動電壓較高、控制精度不足問題，通過設計鏤空蛇形彈性梁結構，在有限芯片尺寸內減小了彈性梁的面外垂直運動剛度以降低驅動電壓，并通過集成梳齒電容位移傳感器來構建光學鏡面位移傳感系統，從而提高控制精度。實驗結果表明，在59 V驅動電壓下，微鏡可實現2.139 5πrad的光學相位調制量，...
Nb2O5晶型對鈮酸鉀鈉基壓電陶瓷結構與性能的影響
摘要：采用固相燒結工藝，在溫度為1 055～1 070℃的條件下制備了致密度高且綜合電學性能優異的(K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.9Ta0.06Sb0.04)O3無鉛壓電陶瓷。研究了不同晶型的Nb2O5<...
TBAB/TBAHSO4水合物復合相變材料的合成及其控溫性能
摘要：相較于傳統冷藏運輸方式，基于相變材料（PCM）的冷能儲存技術能顯著降低碳排放，因而受到廣泛關注。以四丁基溴化銨（TBAB）、四丁基硫酸氫銨（TBAHSO4）為相變材料，通過添加成核劑三氧化二鋁（Al2O3）和增稠劑羧甲基纖維素鈉（CMC），有效減小過冷率并抑制相分離，成功制備了適用于冷鏈運輸的TBAB/TBAHSO4 基于烯烴嵌段共聚物的柔性相變材料的制備及控溫性能研究 摘要：柔性相變材料（FPCM）兼具潛熱儲能特性和柔性特性，不僅能高效儲能，還能與物體表面緊密貼合，廣泛應用于人體熱管理與控溫領域。通過物理共混方法，采用烯烴嵌段共聚物（OBC）和十六烷微膠囊（M16）制備出復合相變材料（OM16）。實驗結果表明：在1∶1.2的比例下制備的OM16-1.2在具有一定柔性的同時，相變焓值可達84.45 J·g-1，相變溫度為16.98℃；經過100次循... 基于LED光源的分子束外延實時光學束流監測技術研究 摘要：采用譜寬度介于窄譜與寬譜之間的LED作為介譜光源，基于原子吸收實現了對分子束外延生長過程中多元素束流強度的非侵入式實時測量與監控。該方案具有自校正特性，無須引入額外校準光路即可有效抑制光源及光路中的波動與漂移，表現出良好的魯棒性。結合對標定片外延生長速率的精確計算，利用光吸收度對Ga束源爐的束流強度進行了標定。在束源爐溫度梯度調控束流強度的實驗條件下，特征光譜的光吸收度信號與離子規電流信號呈現顯著... 基于混合離子電解質的有機電化學晶體管在神經突觸模擬中的應用 摘要：通過將3種離子液體EMIM-TFSI、EMIM-BF4、EMIM-PF6分別與聚合物電解質(PIL,poly（DADMATFSI）)混合，構建混合離子電解質體系。將該體系應用于有機電化學晶體管（OECT）中，顯著提升了其掃描速率和非易失特性，并實現了生物突觸的功能模擬，為神經形態計算提供了新策略。研究采用電學測試、電化學阻抗譜測試以及多層感知器仿真。結果... 便攜式連續血壓監測技術研究現狀及挑戰 摘要：高血壓病情失控極易誘發腦出血、心肌梗塞、心力衰竭、腎功能衰竭和失明等疾病，不僅給患者帶來痛苦，也給醫療衛生系統帶來沉重的財政負擔和服務壓力。目前，醫學領域尚無法根治高血壓，僅能通過藥物等手段對病情進行控制。因此，實時、連續的血壓監測成為預防高血壓引起的突發性并發癥的必要手段。穿戴式血壓監測技術正是順應這一需求而產生的，其核心目標在于實現對人體血壓的實時監測與及時干預，從而有效預防高血壓及其并發癥的... 高精度、選擇性原子層刻蝕技術研究進展 摘要：隨著半導體技術的快速發展，芯片的關鍵尺寸不斷縮小，以鰭式場效應晶體管（FinFET）和三維NAND閃存為代表的復雜的三維結構對刻蝕工藝提出了極高的要求。特別是在高精度、低損傷刻蝕以及實現不同材料的刻蝕選擇性方面，傳統干法刻蝕技術已經難以滿足需求。原子層刻蝕（Atomic Layer Etching, ALE）作為一種高精度的原子尺度微加工技術，逐漸成為半導體制造中的關鍵技術之一。綜述ALE技術的獨... 釕在納米尺度集成電路互連中的應用與挑戰 摘要：隨著集成電路工藝進入納米尺度，傳統銅互連面臨電阻尺寸效應加劇和電遷移失效等問題，導致線電阻顯著增加；同時，線間與層間電容的增強以及低介電材料的局限性共同引發寄生電容上升，進一步惡化了互連電容-電阻延遲問題。在此背景下，亟需探索新型互連材料并優化工藝以提升互連性能。釕作為下一代互連候選材料，憑借其較短的電子平均自由程和高內聚能，在納米尺度下表現出低電阻尺寸效應和優異的抗電遷移特性。此外，釕具有良好的... 原子層沉積在光電子器件制備領域的應用進展 摘要：原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種高精度的薄膜沉積技術，能夠在復雜微結構和異質材料界面上實現納米級厚度的均勻薄膜沉積。隨著光電子器件的快速發展，ALD技術在光電材料和電介質薄膜等領域展現了廣闊的應用前景，特別是在高性能太陽能電池、發光二極管和光電探測器中，通過精確控制薄膜厚度和成分顯著提升了器件的光電轉換效率與穩定性。詳細綜述了ALD技術在光電子器件功能層... 高穩定性In2O3/InGaZnO雙層溝道薄膜晶體管 摘要：提出并構建了一種基于In2O3/IGZO雙層溝道的薄膜晶體管（Thin Film Transistor,TFT）。實驗結果表明，該雙層結構器件展現出優異的電學性能和穩定性：場效應遷移率高達26.8 cm2·（V·s）-1，亞閾值擺幅低至90.8 mV·dec-1；在正偏壓應力和負偏壓應力條... 基于InCaOx/HfAlOx的高性能低壓操作FET的構筑及其在邏輯反相器中的應用 摘要：利用原子層沉積（ALD）工藝制備不同Hf、Al前驅體比例的HfAlOx柵介質薄膜，并對其化學組分、表面形貌、光學性能及介電性能進行系統表征。結果表明，HfAlOx薄膜具有較高的光學透過率和表面平整度；隨著Al含量的增加，薄膜的介電性能發生顯著變化。為制備低壓操作FET器件，采用靜電紡絲技術制備InCaOx納米纖維作為溝道材料，并與A... 基于DFT的Cu/SiO2襯底選擇性原子層沉積前驅體篩選 摘要：選擇性原子層沉積技術在納米級材料制造中具有顯著優勢，其核心原理是利用前驅體在不同區域表面的反應速率差異實現選擇性沉積。針對半導體互聯及后道工藝中介電材料的準確定位沉積需求，采用結合微動力學方法的密度泛函理論（DFT），系統揭示前驅體在Cu/SiO2表面的吸附與分解機制，并耦合原子層沉積（ALD）的反應條件，定量描述了前驅體在兩種襯底表面的反應速率與覆蓋率。基于兩種表面覆蓋率的... 基于原子層沉積技術的硼化物生長研究進展 摘要：隨著半導體技術的不斷進步，以氧化硼和氮化硼為代表的硼化物在多個領域展現出廣泛的應用前景，引發了深入的研究。其中，氧化硼獨特的摻雜特性使其在優化器件性能和提升集成度方面展現出巨大潛力，因此在超淺硅摻雜中得到了廣泛應用，并在先進互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術中受到越來越多的關注。與此同時，氮化硼在半導體鐵電存儲摻雜領域的重要性也日益顯現。綜述了基于原子層沉積（ALD）技術生長氧化硼和氮化硼薄膜的... 原子層沉積反應器的數值模擬研究進展 摘要：原子層沉積（Atomic Layer Deposition,ALD）作為一種具有亞納米精度的薄膜沉積技術，被廣泛應用于集成電路、能源以及顯示等領域。然而，在實際應用中，ALD仍面臨諸多挑戰，這些挑戰主要源于其反應器內部復雜的流體力學、傳質傳熱及表面反應等造成的多過程、多尺度耦合問題。數值模擬有助于揭示ALD的多物理/化學過程多尺度耦合機理，是深入分析和優化ALD的有力工具。系統綜述了ALD反應器模... 大氣壓粉末原子層沉積研究進展 摘要：大氣壓粉末原子層沉積技術是一種在大氣壓或接近大氣壓條件下對功能粉末材料表面進行納米級厚度精確修飾的技術，在能源材料和催化劑材料等領域具有廣闊的應用前景。該技術無需真空系統，顯著降低了設備成本和維護成本，因此在工業放大生產中展現出明顯優勢。對粉末原子層沉積的自限制性表面化學反應原理進行介紹，分析該技術需克服的技術難點及其優勢與不足，概述原子層沉積的保形性特點，總結大氣壓下時間和空間原子層沉積反應腔的... 基于SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的全光突觸用于模式識別的研究 摘要：傳統上用于模式識別的神經形態器件大多基于電信號，存在帶寬受限、電阻電容延遲和電流串擾等問題，會導致圖像產生失真，進而嚴重影響模式識別的結果。因此，避免電信號帶來的信號串擾等問題以保證后續模式識別結果的有效性至關重要。與電信號相比，光信號具有運算速度快、抗干擾能力強、能量損失小等優點。本文提出了基于磷光材料的單層全光器件，成功模擬了興奮性突觸后光強（EPSI）和雙脈沖易化（PPF）等類似生物突觸的基... 鈦酸鋇鐵電隧道結的極化翻轉動力學研究 摘要：本文針對馮·諾依曼架構中存在的處理器與存儲器間數據傳輸瓶頸所導致的高能耗和低效率問題，探索了基于鐵電隧道結的神經形態計算解決方案。鐵電隧道結因其獨特的極化翻轉特性而具備神經形態計算所需的物理基礎，其極化翻轉的統計行為直接決定器件性能。本文以鈦酸鋇鐵電隧道結存儲器為模型，采用結合非均勻場機制理論的自研相場模擬技術，重點探討了機械邊界條件對極化翻轉統計行為的調控機制。研究結果表明，由于上下電極材料與鐵... 相關科技期刊推薦 核心期刊推薦
