【雜志簡介】

　　《微電子技術》以促進我國納米電子技術不斷發展為辦刊目的。 創刊4年以來，匯集了納米電子、機械、材料、制造、測量以及物理、化學和生物等不同學科新生長出來的微小和微觀領域的科學技術群體，通過報道國內外納米電子技術方面的研究論文和綜述動態,為納米研究領域的技術人員提供納米技術領域新的突破方法和新的研究方向，為納米技術領域中從事原始創新和基礎探索的科研工作者、大學教師和學生提供了一個納米電子技術成果展示、轉化和技術交流的平臺。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄　獲獎情況

　　2002-2003和2003-2004年度，均獲信息產業部電子科技期刊編輯質量優秀獎

　　2005-2006年度獲信息產業部電子科技期刊學術技術水平優秀獎

　　中國學術期刊執行(光盤版)檢索與評價數據規范優秀期刊

　　2007-2008年度又榮獲工業和信息化部電子科技期刊學術技術水平優秀獎。

　　俄羅斯《AJ》收錄

　　英國《SA》,INSPEC數據庫收錄

　　美國《劍橋科學文摘》收錄

　　【欄目設置】

　　主要欄目：專家論談、納米器件與技術、納米材料與納料結構、MEMS器件與技術、顯微、測量、微細加工技術與設備、企業與人物追蹤、業界快訊等。

　　雜志優秀目錄參考：

　　1 Ⅲ-Ⅴ多結太陽電池隧道結模型的研究進展 陳帥;楊瑞霞;吳亞美; 545-553

　　2 PMMA柵絕緣層表面形貌對并五苯OTFT性能的影響 李雪飛;王偉;王帥;石曉東; 554-558+580

　　3 金納米棒復合結構中的雙重法諾共振效應 齊信;黃運歡;薛保平; 559-564

　　4 組合式MEMS三維矢量水聲傳感器 郭楠;張國軍;劉夢然;簡澤明;張文棟; 565-569+596

　　5 基于PNP模型微通道內冪律流體電滲流數值模擬 申力;李鳴;楊大勇; 570-575

　　6 基于流動聚焦結構的微液滴形成機理 楊麗;周圍;王學浩;程景萌;王媛媛;張思祥; 576-580

　　7 一種高溫壓阻式壓力傳感器的制備與倒裝焊接 李丹丹;梁庭;姚宗;李賽男;熊繼軍; 581-585

　　8 基于小波包絡提取法的白光干涉測量系統 簡黎;雷李華;李東升;孫曉光;蔡瀟雨;李源; 586-591+610

　　9 堿性銅精拋液中活性劑對平坦化效果的影響 賈少華;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇; 592-596

　　10 UV-LIGA技術制備頻率選擇表面的研究 林彬彬;陳迪;林樹靖;謝耀;袁濤;崔大祥; 597-602

　　11 阻擋層CMP中螯合劑FA/OII對拋光效果的影響(英文) 榮穎佳;王勝利;劉玉嶺;王辰偉;高嬌嬌;張文倩; 603-610

　　12 第11屆國際專用集成電路會議第一次征稿通知 611-612

　　通信技術雜志投稿：信息技術在體育教學中的應用

　　摘 要：隨著科學技術的迅猛發展，信息技術越來越廣泛地應用于各個領域，怎樣把信息技術與體育課程有效整合，達到課堂教學效果的最優化是每位體育教師所面臨的課題。本文結合自身的實踐，做了有益的嘗試。

　　關鍵詞：通信技術雜志,信息技術, 體育

　　在新課標下，如何做到將信息技術合理應用到體育教學中，激發學生興趣，開發教學資源，優化教學過程呢?筆者結合個人教學實際，談談自己的看法。

　　微納電子技術最新期刊目錄

GaN基Micro-LED芯片的電-熱短路效應研究

摘要：研究了Ga N基藍光微型發光二極管(micro-LED)芯片在電流應力作用下的光電退化機制及其電-熱耦合短路效應,揭示了micro-LED芯片獨特的突發性短路失效機理。實驗結果表明,施加2 h電流應力后,芯片發光強度衰減至初始值的約43%,反向漏電流顯著增大,且在-10 V偏壓下的超低頻噪聲功率譜密度增幅達4個數量級,證實缺陷態密度增加是導致光電特性退化的主要因素。此外,熱成像分析顯示,應力時間延...

一種基于憶阻器調諧頻率的低功耗振蕩器

摘要：隨著無線傳感器朝著微型化和低功耗方向不斷發展,傳統片上時鐘源在頻率調節范圍、功耗和面積上面臨顯著技術瓶頸。為此提出了一種新型硅基時鐘源設計,主要工作包括:設計了一種新型憶阻器讀出電路,能將阻值可調區間有效轉化成頻率調諧范圍;基于該電路與晶閘管構建低功耗振蕩器,并提出了頻率校準方法,降低溫度系數對輸出頻率的影響;基于180 nm互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝完成了電路和版圖設計。結果表明,振蕩...

基于非接觸式摩擦納米發電機的步態識別方法

摘要：設計了一種基于非接觸式摩擦納米發電機(NC-TENG)的步態識別系統,旨在通過捕捉人體運動中的機械能實現精準的步態分析與分類。實驗表明,該傳感器的感應電壓與運動速度、加速度以及角度均呈現良好的線性關系。當運動角度設定為200°時,輸出電壓達到峰值為0.75 V;在運動速度從90°/s提升至180°/s時,峰值電壓從0.475 V顯著提升至1.49 V,驗證了NC-TENG用于步態信息采集的可行性。...

高性能橫向軸硅微陀螺儀研究

摘要：設計并制備了一種高性能橫向軸硅微陀螺儀。闡述了橫向軸硅微陀螺儀的研究現狀及性能較差的原因。在此基礎上，采用全封閉式驅動框架結構和四質量塊全差分電容檢測結構對陀螺儀敏感結構進行了優化，通過抑制正交誤差、提高驅動能力、提升檢測靈敏度、提高工作模態頻率并隔離干擾模態頻率，顯著提升了陀螺儀的整體性能和環境適應性。采用表面硅微機械加工技術完成了陀螺儀芯片加工，利用無引腳芯片載體(LCC)實現了陀螺儀的氣密封...

化學機械拋光工藝對磷化銦單晶片去除速率的影響

摘要：磷化銦(InP)單晶片的化學機械拋光(CMP)是影響后續晶片外延生長或鍵合的關鍵工藝，而拋光去除速率既影響晶片平整度及表面質量，又在生產效率方面有著重要影響。通過對InP單晶片雙面化學機械拋光的機理分析，研究了拋光液pH值、拋光壓力及轉速對InP單晶片去除速率的影響，分析了拋光壓力對InP晶片表面粗糙度的影響，以及轉速對InP晶片平整度的影響。確定了粗拋及精拋拋光液組分、pH值，優化了雙拋壓力及上...

偏置電場調控鹵化物鈣鈦礦納米線中的離子遷移

摘要：金屬鹵化物鈣鈦礦憑借其獨特的軟晶格結構，表現出顯著的離子遷移特性。通過合理施加預偏置電場和光場，可有效調控離子的再分布，進而形成內建電場和局部電學摻雜，從而改變材料的電學性能。采用溶液法合成MAPbBr₃納米線，并通過熱蒸發法沉積金電極，構建橫向金屬-半導體-金屬器件。施加適當的偏置電壓可誘導局部內建電場，使器件的暗電流降低約50%,同時短暫增強光電流。此外，不同的外部極化電...

基于光纖基底的金納米島-量子點定向隨機激光器

摘要：微型化定向光源在集成光子學領域備受關注，隨機激光器因其無諧振腔約束的特性，使其在開發低相干多色光源領域顯示出獨特優勢。但傳統隨機激光體系的發射光束通常因光子無序散射導致發散嚴重，使其難以適配光纖傳感等需精準導光的應用場景。本文提出了一種制備方法簡單、成本低、穩定性高的光纖集成金納米島-量子點結構的定向隨機激光器設計方案。通過優化金屬薄膜厚度和退火工藝，在光纖側面構建了穩定的金納米島并實現了黃色隨機...

直書寫3D打印應變傳感器初始電阻控制方法

摘要：針對直書寫打印應變傳感器初始電阻難以控制的問題，提出了一種可以控制傳感陣列中不同傳感單元初始電阻的策略。實驗發現，通過改變固化參數可以控制碳漿的電阻率，固化溫度在60℃及以上時，碳漿電阻率隨固化時間增加而降低，固化一定時間后電阻率達到穩定。固化時間相同時，電阻率會隨固化溫度的增加而顯著降低，從0.11Ω·cm下降至0.012Ω·cm。這個規律產生的原因是，不同的固化溫度導致碳漿材料中石墨顆粒形成的...

低碳含量氧化釔薄膜的原子層沉積研究

摘要：碳雜質含量過高是原子層沉積（ALD）氧化釔薄膜領域中的一個關鍵技術難題。設計合成了釔配合物Y（tmod）₃（tmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮）,熱重（TG）分析和差示掃描量熱（DSC）測試結果表明，含有不對稱配體的Y（tmod）₃前驅體表現出比已報道的Y（tmhd）₃（tmhd=2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮...

雙面化學機械拋光工藝中拋光墊修整效果影響因素分析

摘要：在雙面化學機械拋光過程中，拋光液中的磨粒和被去除的材料碎屑會不斷積累，可能導致拋光墊表面微孔堵塞，需要對其進行修整。為了探究雙面化學機械拋光工藝中影響拋光墊修整效果的因素，建立了修整器相對于拋光墊運動的數學模型，以修整范圍和修整器磨粒在拋光墊上軌跡的均勻程度作為評價標準，研究了修整器磨粒位置對修整效果的影響，發現磨粒距離修整器中心越遠，修整到的拋光墊范圍越大，修整效果越好。當修整器相對于拋光墊的自...

OBIRCH及納米探針電測試方法聯合分析FPGA功能失效

摘要：特種現場可編程門陣列(FPGA)芯片的可靠性及高品質保證了其在嚴酷的應用環境中能穩定運行，而失效分析研究對產品的迭代升級，保證芯片的可靠性及高質量具有關鍵的作用。聚焦于大規模FPGA芯片中位流回讀功能失效的案例，從測試和仿真分析出發，配合可聚焦離子束方法擷取信號觀測，明確了失效芯片的失效模式為漏電。采用光束感生電阻變化(OBIRCH)測試確認了芯片晶體管級的失效節點，并配合納米探針電測試方法，成功...

E波段高效率GaN功率放大器MMIC

摘要：研制了一款E波段高效率GaN功率放大器單片微波集成電路（MMIC）。通過優化器件結構、GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）材料結構，采用電子束T型柵工藝，制備了柵長0.1μm的4×25μm GaN HEMT。測試結果表明，該器件最大飽和電流密度為1.2 A/mm,峰值跨導為540 mS/mm,小信號下測試截止頻率f_T和最大振蕩頻率f_max分別為110 G...

用于植入式微型MEMS壓力傳感器的Parylene復合涂層封裝

摘要：用于血壓監測的微型微機電系統(MEMS)壓力傳感器依賴可靠的封裝來實現更準確的實時監測。Parylene涂層憑借其生物相容性和低滲透性，成為封裝的理想選擇之一，然而較差的附著力限制了其應用。提出了一種增強附著力的Parylene復合涂層封裝方案，提升了傳感器的精度和熱穩定性。通過比較不同Parylene涂層的附著力和薄膜應力，以及評估在常溫(25℃)和人體溫度范圍(34～42℃)下不同涂層封裝的傳...

柔性材料氣體電離式傳感器SF₆特征分解產物響應特性

摘要：六氟化硫（SF₆）是一種廣泛應用于電力設備中的絕緣和滅弧介質氣體。在SF₆設備運行期間，通過監測和檢測設備內部的氣體，能夠及早發現設備的故障和異常�，F有的檢測技術存在氣體選擇性差、響應時間過長、檢測步驟繁瑣等缺點。為解決這些問題，設計了一種電離式氣體傳感器，采用微機電系統（MEMS）工藝制備，并使用柔性材料制造了微米柱結構。通過仿真分析了兩種激勵方式下傳...

鐵電四方相BiFeO₃單晶薄膜與Si異構集成研究

摘要：通過射頻濺射技術,在a面ZnO襯底上成功外延生長了亞穩四方相BiFeO₃薄膜。四方相BiFeO₃薄膜具有（001）取向,其與ZnO間的外延匹配關系為:BiFeO₃（001）‖ZnO（■）,BiFeO₃[110]‖ZnO[■]和BiFeO₃[■]‖ZnO[0001]。建立了基于ZnO犧牲層的...

基于SOI-MEMS工藝的新型電容式三軸MEMS加速度計

摘要：設計了一種新型的電容式三軸微機電系統（MEMS）加速度計,該加速度計使用單器件內分立三個質量塊方案實現三軸檢測。提出了該加速度計基本構型與創新設計的彈簧梁結構,并在結構中加入自檢測與限位防撞結構。通過仿真軟件對所設計器件的諧振頻率與電容靈敏度等進行仿真。仿真結果表明該加速度計可實現三軸檢測且具有較高的靈敏度。創新設計的梁結構可有效隔絕77%的位移擾動,驅動結構可實現自檢測功能,限位防撞裝置可確保器...

InP基多結激光電池中隧道結研究

摘要：激光傳能系統中的激光電池(LPC)可將激光能量轉換為電能。采用垂直堆疊的多結結構,通過隧道結連接各子電池可提高激光電池的輸出電壓。聚焦于InP基多結LPC中隧道結對器件輸出特性的影響,通過對比試驗,設計制備了采用InGaAs/InP和InAlAs/InP兩種隧道結的LPC,并研究了不同入射光功率和溫度條件下LPC的I-V特性。研究結果表明,當局部光生電流密度超過隧道結峰值隧穿電流密度時,InGaA...

面向高分辨率導電互連結構制備的熔融合金電流體噴印工藝

摘要：多層/立體電路是高性能微電子器件、可穿戴電子設備等的核心基礎單元，如何高效穩定制備高分辨率導電互連結構是制備的關鍵。傳統的硅通孔互連、引線鍵合技術難以簡單快速、低成本制備高分辨率的柔性多層導電互連結構。為滿足該類電子器件導電互連、小尺寸、快速制備的需求，提出了熔融合金電流體噴印工藝打印制備高分辨率導線和導電互連結構的方法。闡述了該工藝方法的基本原理和工藝驗證過程，自主設計了一種新型噴頭裝置進行實驗...

“高可靠陶瓷封裝技術”專題前言

摘要：<正>陶瓷封裝作為承載半導體、各類電子元件及其集成模塊的關鍵包封體,不僅是電子元器件與模塊的“保護外殼”,更承擔著提供機械支撐、密封防護、散熱通道及電磁屏蔽等多重核心功能。作為銜接芯片與電路系統的重要界面,高可靠陶瓷封裝不僅是溝通芯片與組件、乃至整機系統的橋梁,更是器件與電路的有機組成部分。陶瓷封裝在電子電路系統中占據著大部分的質量和體積,較高的成本,且相當比例的可靠性問題與封裝環節直...

“高可靠陶瓷封裝技術”專題組稿專家

摘要：<正>高嶺 研究員,中電國基北方副總經理,1995年畢業于武漢理工大學,獲得自動控制專業學士學位,主持和參與了多項國家課題,申請多項專利,在不同刊物發表學術論文10余篇,參與翻譯《微電子封裝手冊》和《陶瓷多層布線基板-VLSI封裝/多芯片組件基板技術》等書籍,《電子與封裝》編委,獲得省部級科學技術進步獎10余項

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