半導體技術雜志創刊于1976年6月年，主要征收功率放大器、高電子遷移率晶體管(HEMT)、擊穿電壓、硅通孔(TSV)、低功耗、SiC MOSFET、可靠性、GaN、單片微波集成電路(MMIC)、化學機械拋光(CMP)方面的稿件，因此該刊開設了欄目是：趨勢與展望，半導體材料與器件，半導體制備技術，集成電路設計與應用，封裝、檢測與設備等。

半導體技術雜志征收稿件的關鍵詞分布如下：